2N5639G

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

2N5639G
Изготовитель / Производитель

AMI Semiconductor/onsemi
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

JFET N-CH 35V 0.31W TO92
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

2N5639G.pdf
Напряжение - Разбивка (V (BR) GSS)

35V
Поставщик Упаковка устройства

TO-92-3
Серии

-
Сопротивление - RDS (On)

60 Ohms
Мощность - Макс

310mW
упаковка

Bulk
Упаковка /

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Рабочая Температура

-65°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

10pF @ 12V (VGS)
Тип FET

N-Channel
Слить к источнику напряжения (VDSS)

30V
Подробное описание

JFET N-Channel 35V 310mW Through Hole TO-92-3
Ток - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

25mA @ 20V
Номер базового номера

2N5639

Ниже приведены продукты, связанные с 2N5639G.

2N5639

Описание: JFET N-CH 35V 0.31W TO92

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

2N5639G

Онлайн - запрос

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

Последняя кремниевая оптическа...

Индустрия восстанавливается ме...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Поставщик: большое количество к...

Тайвань, выходной стоимость пол...

Расширение производства панеле...

Amazon увеличивает усилия по созда...

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Южная Корея планирует ввести За...

Выберите язык

Текущий язык