Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > FCU600N65S3R0
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1379504FCU600N65S3R0 Image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCU600N65S3R0

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$1.67
75+
$1.333
150+
$1.166
525+
$0.905
1050+
$0.714
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    FCU600N65S3R0
  • Изготовитель / Производитель
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    SUPERFET3 650V IPAK PKG
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
  • Спецификация
    FCU600N65S3R0.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    4.5V @ 600µA
  • Vgs (макс.)
    ±30V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    I-PAK
  • Серии
    SuperFET® III
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600 mOhm @ 3A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    54W (Tc)
  • упаковка
    Tube
  • Упаковка /
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • Другие названия
    FCU600N65S3R0-ND
    FCU600N65S3R0OS
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Through Hole
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    Not Applicable
  • Свободный свинец
    Lead free
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    465pF @ 400V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    11nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    650V
  • Подробное описание
    N-Channel 650V 6A (Tc) 54W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    6A (Tc)

Графическая карта NVIDIA RTX 5090 имее...

2024/11/25

Антропик получает еще 4 миллиард...

2024/11/23

Полу: продажи IC увеличиваются на...

2024/11/22

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с FCU600N65S3R0.
FCU3400N80Z

FCU3400N80Z

Описание: MOSFET N-CH 800V 2A IPAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
FCUL0530-R47M=P3

FCUL0530-R47M=P3

Описание: FIXED IND 470NH 16A 2.85 MOHM

Производители: Murata Electronics
Быть в наличии
RFQ
FCU2250N80Z

FCU2250N80Z

Описание: MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
FCU7N60TU

FCU7N60TU

Описание: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
FCU850N80Z

FCU850N80Z

Описание: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
FCU-7

FCU-7

Описание: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Производители: Bussmann (Eaton)
Быть в наличии
RFQ
FCU4300N80Z

FCU4300N80Z

Описание: MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
CSD18542KTT

CSD18542KTT

Описание: MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK

Производители: Luminary Micro / Texas Instruments
Быть в наличии
RFQ
IRFB4115PBF

IRFB4115PBF

Описание: MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
SPI80N06S2-08

SPI80N06S2-08

Описание: MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IRLL2703TR

IRLL2703TR

Описание: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
FCU-2

FCU-2

Описание: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Производители: Bussmann (Eaton)
Быть в наличии
RFQ
2SK4150TZ-E

2SK4150TZ-E

Описание: MOSFET N-CH 250V 0.4A TO-92

Производители: Renesas Electronics America
Быть в наличии
RFQ
FCU900N60Z

FCU900N60Z

Описание: MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
NTD4865N-1G

NTD4865N-1G

Описание: MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
IRF5800TRPBF

IRF5800TRPBF

Описание: MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IXTP06N120P

IXTP06N120P

Описание: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
RFQ
STD4NK80ZT4

STD4NK80ZT4

Описание: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

Производители: STMicroelectronics
Быть в наличии
RFQ
FCU360N65S3R0

FCU360N65S3R0

Описание: MOSFET N-CH 600V IPAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
FCU5N60TU

FCU5N60TU

Описание: MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.