FDJ128N

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

FDJ128N
Изготовитель / Производитель

AMI Semiconductor/onsemi
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

FDJ128N.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (макс.)

±12V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

SC75-6 FLMP
Серии

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс)

1.6W (Ta)
упаковка

Cut Tape (CT)
Упаковка /

SC75-6 FLMP
Другие названия

FDJ128N_NLCT
FDJ128N_NLCT-ND
FDJ128NCT
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

543pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

8nC @ 5V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

20V
Подробное описание

N-Channel 20V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SC75-6 FLMP
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

5.5A (Ta)

Ниже приведены продукты, связанные с FDJ128N.

IXTP54N30T

Описание: MOSFET N-CH 300V 54A TO-220

Производители: IXYS Corporation

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

FDJ128N

Онлайн - запрос

Intel получит 7,86 млрд. Долл. США в р...

AMD запускает строительство втор...

Графическая карта NVIDIA RTX 5090 имее...

Антропик получает еще 4 миллиард...

Полу: продажи IC увеличиваются на...

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

Последняя кремниевая оптическа...

Индустрия восстанавливается ме...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Поставщик: большое количество к...

Тайвань, выходной стоимость пол...

Выберите язык

Текущий язык