MJ11030G

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

MJ11030G
Изготовитель / Производитель

AMI Semiconductor/onsemi
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

MJ11030G.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

90V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic

3.5V @ 500mA, 50A
Тип транзистор

NPN - Darlington
Поставщик Упаковка устройства

TO-3
Серии

-
Мощность - Макс

300W
упаковка

Tray
Упаковка /

TO-204AE
Рабочая Температура

-55°C ~ 200°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Частота - Переход

-
Подробное описание

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 90V 50A 300W Through Hole TO-3
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 25A, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс)

2mA
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

50A

Ниже приведены продукты, связанные с MJ11030G.

MJ1102FE-R52

Описание: RES 11K OHM 1/8W 1% AXIAL

Производители: Ohmite

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

MJ11030G

Онлайн - запрос

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

Последняя кремниевая оптическа...

Индустрия восстанавливается ме...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Поставщик: большое количество к...

Тайвань, выходной стоимость пол...

Расширение производства панеле...

Amazon увеличивает усилия по созда...

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Южная Корея планирует ввести За...

Выберите язык

Текущий язык