Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - сингл, заранее пр > MMUN2212LT1G
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
177146MMUN2212LT1G Image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MMUN2212LT1G

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
3000+
$0.022
6000+
$0.02
15000+
$0.017
30000+
$0.016
75000+
$0.014
150000+
$0.012
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    MMUN2212LT1G
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    50V
  • Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Тип транзистор
    NPN - Pre-Biased
  • Поставщик Упаковка устройства
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Серии
    -
  • Резистор - основание эмиттера (R2)
    22 kOhms
  • Резистор - основание (R1)
    22 kOhms
  • Мощность - Макс
    246mW
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Другие названия
    MMUN2212LT1GOS
    MMUN2212LT1GOS-ND
    MMUN2212LT1GOSTR
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    36 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Подробное описание
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    60 @ 5mA, 10V
  • Ток - Коллектор Граничная (Макс)
    500nA
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    100mA
  • Номер базового номера
    MMUN22**L
MMUN2215LT1G

MMUN2215LT1G

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.4W SOT23-3

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MMUN2141LT1G

MMUN2141LT1G

Описание: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MMUN2215LT1

MMUN2215LT1

Описание: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MMUN2140LT1G

MMUN2140LT1G

Описание: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MMUN2217LT1G

MMUN2217LT1G

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT-23

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MMUN2211LT1G

MMUN2211LT1G

Описание: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MMUN2211LT3

MMUN2211LT3

Описание: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MMUN2216LT1

MMUN2216LT1

Описание: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MMUN2230LT1

MMUN2230LT1

Описание: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MMUN2214LT1G

MMUN2214LT1G

Описание: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MMUN2211LT3G

MMUN2211LT3G

Описание: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MMUN2216LT1G

MMUN2216LT1G

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.4W SOT23-3

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MMUN2230LT1G

MMUN2230LT1G

Описание: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MMUN2213LT1

MMUN2213LT1

Описание: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MMUN2212LT1

MMUN2212LT1

Описание: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MMUN2137LT1G

MMUN2137LT1G

Описание: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MMUN2136LT1G

MMUN2136LT1G

Описание: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MMUN2213LT1G

MMUN2213LT1G

Описание: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MMUN2211LT1

MMUN2211LT1

Описание: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MMUN2138LT1G

MMUN2138LT1G

Описание: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти