Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > MVB50P03HDLT4G
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1391812

MVB50P03HDLT4G

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    MVB50P03HDLT4G
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    INTEGRATED CIRCUIT
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±15V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    D2PAK-3
  • Серии
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 25A, 5V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    125W (Tc)
  • Упаковка /
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    4.9nF @ 25V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    100nC @ 5V
  • Тип FET
    P-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    P-Channel 30V 50A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK-3
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    50A (Tc)
FDD390N15ALZ

FDD390N15ALZ

Описание: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
FQI6N60CTU

FQI6N60CTU

Описание: MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
IRLML2030TRPBF

IRLML2030TRPBF

Описание: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
DMTH6004SPSQ-13

DMTH6004SPSQ-13

Описание: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
IXTK60N50L2

IXTK60N50L2

Описание: MOSFET N-CH 500V 60A TO-264

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
IRFI644G

IRFI644G

Описание: MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
NTMFS4C06NT3G

NTMFS4C06NT3G

Описание: MOSFET N-CH 30V 69A SO8FL

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
NTMFS4897NFT3G

NTMFS4897NFT3G

Описание: MOSFET N-CH 30V SO-8FL

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
NTD4810NH-35G

NTD4810NH-35G

Описание: MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
BSP179H6327XTSA1

BSP179H6327XTSA1

Описание: MOSFET N-CH 400V 0.21A SOT-223

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
SPP21N50C3HKSA1

SPP21N50C3HKSA1

Описание: MOSFET N-CH 560V 21A TO-220AB

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IXFJ20N85X

IXFJ20N85X

Описание: MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
STP180N55F3

STP180N55F3

Описание: MOSFET N-CH 55V 120A TO-220

Производители: STMicroelectronics
Быть в наличии
SI2325DS-T1-E3

SI2325DS-T1-E3

Описание: MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
BUZ73AE3046XK

BUZ73AE3046XK

Описание: MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
SIR414DP-T1-GE3

SIR414DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
IRL1104S

IRL1104S

Описание: MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
GP2M004A060PG

GP2M004A060PG

Описание: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

Производители: Global Power Technologies Group
Быть в наличии
GP1M012A060H

GP1M012A060H

Описание: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Производители: Global Power Technologies Group
Быть в наличии
IRFD320

IRFD320

Описание: MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти