Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - массивы, заранее > NSB1706DMW5T1
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1207826NSB1706DMW5T1 Image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSB1706DMW5T1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    NSB1706DMW5T1
  • Изготовитель / Производитель
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Содержит несоответствие свинца / RoHS
  • Спецификация
    NSB1706DMW5T1.pdf
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    50V
  • Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 1mA, 10mA
  • Тип транзистор
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Поставщик Упаковка устройства
    SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
  • Серии
    -
  • Резистор - основание эмиттера (R2)
    47 kOhms
  • Резистор - основание (R1)
    4.7 kOhms
  • Мощность - Макс
    250mW
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • Другие названия
    NSB1706DMW5T1OS
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Частота - Переход
    -
  • Подробное описание
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
  • DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Ток - Коллектор Граничная (Макс)
    500nA
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    100mA
  • Номер базового номера
    NSB1706

Антропик получает еще 4 миллиард...

2024/11/23

Полу: продажи IC увеличиваются на...

2024/11/22

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с NSB1706DMW5T1.
NSB13211DW6T1G

NSB13211DW6T1G

Описание: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
NSB8BTHE3/45

NSB8BTHE3/45

Описание: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
NSB8BTHE3/81

NSB8BTHE3/81

Описание: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
NSB8BTHE3_A/P

NSB8BTHE3_A/P

Описание: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
NSB8BT-E3/81

NSB8BT-E3/81

Описание: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
NSB8DT-E3/81

NSB8DT-E3/81

Описание: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
NSB13ANT3G

NSB13ANT3G

Описание: TVS DIODE 13V 21.5V SMB

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
NSB1706DMW5T1G

NSB1706DMW5T1G

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
NSB4904DW1T1G

NSB4904DW1T1G

Описание: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
NSB8ATHE3_A/P

NSB8ATHE3_A/P

Описание: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
NSB8BT-E3/45

NSB8BT-E3/45

Описание: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
NSB8AT-E3/45

NSB8AT-E3/45

Описание: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
NSB8DT-E3/45

NSB8DT-E3/45

Описание: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
NSB8BTHE3_A/I

NSB8BTHE3_A/I

Описание: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
NSB8AT-E3/81

NSB8AT-E3/81

Описание: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
NSB8ATHE3/81

NSB8ATHE3/81

Описание: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
NSB12ANT3G

NSB12ANT3G

Описание: TVS DIODE 12V 19.9V SMB

Производители: Hamlin / Littelfuse
Быть в наличии
RFQ
NSB8DTHE3/45

NSB8DTHE3/45

Описание: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
NSB8ATHE3/45

NSB8ATHE3/45

Описание: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
NSB8ATHE3_A/I

NSB8ATHE3_A/I

Описание: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.