Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - массивы, заранее > NSVBC123JPDXV6T1G
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
79819NSVBC123JPDXV6T1G Image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSVBC123JPDXV6T1G

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
4000+
$0.114
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    NSVBC123JPDXV6T1G
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    50V
  • Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Тип транзистор
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Поставщик Упаковка устройства
    SOT-563
  • Серии
    Automotive, AEC-Q101
  • Резистор - основание эмиттера (R2)
    47 kOhms
  • Резистор - основание (R1)
    2.2 kOhms
  • Мощность - Макс
    500mW
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    SOT-563, SOT-666
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    4 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - Переход
    -
  • Подробное описание
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
  • DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Ток - Коллектор Граничная (Макс)
    500nA
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    100mA
NSVBC818-40LT1G

NSVBC818-40LT1G

Описание: TRANS NPN 25V 0.5A SOT23

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
NSVBC143TPDXV6T1G

NSVBC143TPDXV6T1G

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
NSVBC817-16LT1G

NSVBC817-16LT1G

Описание: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
NSVBAV70TT1G

NSVBAV70TT1G

Описание: DIODE ARRAY SW 100V 100MA SC75

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
NSVBAV70TT3G

NSVBAV70TT3G

Описание: DIODE ARRAY SW 100V 100MA SC75

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
NSVBC114EDXV6T1G

NSVBC114EDXV6T1G

Описание: TRANS 2NPN BIAS BIPOLAR SOT563

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
NSVBC143ZPDXV6T1G

NSVBC143ZPDXV6T1G

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
NSVBC114YPDXV65G

NSVBC114YPDXV65G

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
NSVBC114YPDXV6T1G

NSVBC114YPDXV6T1G

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
NSVBAV70DXV6T5G

NSVBAV70DXV6T5G

Описание: DIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT563

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
NSVBC817-40WT1G

NSVBC817-40WT1G

Описание: TRANS NPN GP 45V 500MA SC70-3

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
NSVBC124EPDXV6T1G

NSVBC124EPDXV6T1G

Описание: SS SOT563 DUAL RSTR XSTR

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
NSVBC144EPDXV6T1G

NSVBC144EPDXV6T1G

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
NSVBC114YDXV6T1G

NSVBC114YDXV6T1G

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
NSVBC124XPDXV6T1G

NSVBC124XPDXV6T1G

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
NSVBC143ZPDXV6T5G

NSVBC143ZPDXV6T5G

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
NSVBC124EDXV6T1G

NSVBC124EDXV6T1G

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
NSVBC114EPDXV6T1G

NSVBC114EPDXV6T1G

Описание: TRANS NPN/PNP BIAS SOT563

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
NSVBAV99WT3G

NSVBAV99WT3G

Описание: DIODE ARRAY GP 99V 200MA SC70

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
NSVBAV23CLT1G

NSVBAV23CLT1G

Описание: DIODE ARRAY GP 250V 400MA SOT23

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти