NTD4960N-1G

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

NTD4960N-1G
Изготовитель / Производитель

AMI Semiconductor/onsemi
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

NTD4960N-1G.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

I-PAK
Серии

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 mOhm @ 30A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

1.07W (Ta), 35.71W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Другие названия

NTD4960N-1GOS
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1300pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

22nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

30V
Подробное описание

N-Channel 30V 8.9A (Ta), 55A (Tc) 1.07W (Ta), 35.71W (Tc) Through Hole I-PAK
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

8.9A (Ta), 55A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с NTD4960N-1G.

NTD4959NH-1G

Описание: MOSFET N-CH 30V 9A IPAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

NTD4960N-1G

Онлайн - запрос

AMD запускает строительство втор...

Графическая карта NVIDIA RTX 5090 имее...

Антропик получает еще 4 миллиард...

Полу: продажи IC увеличиваются на...

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

Последняя кремниевая оптическа...

Индустрия восстанавливается ме...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Поставщик: большое количество к...

Тайвань, выходной стоимость пол...

Расширение производства панеле...

Выберите язык

Текущий язык