Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > ALD1102PAL
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
6228700ALD1102PAL Image.Advanced Linear Devices, Inc.

ALD1102PAL

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$4.77
50+
$3.83
100+
$3.489
500+
$2.825
1000+
$2.383
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    ALD1102PAL
  • Изготовитель / Производитель
    Advanced Linear Devices, Inc.
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    ALD1102PAL.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    1.2V @ 10µA
  • Поставщик Упаковка устройства
    8-PDIP
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    270 Ohm @ 5V
  • Мощность - Макс
    500mW
  • упаковка
    Tube
  • Упаковка /
    8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Другие названия
    1014-1006
  • Рабочая Температура
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • Тип установки
    Through Hole
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    8 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    10pF @ 5V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    -
  • Тип FET
    2 P-Channel (Dual) Matched Pair
  • FET Характеристика
    Standard
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    10.6V
  • Подробное описание
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 8-PDIP
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    -

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с ALD1102PAL.
ALD1102ASAL

ALD1102ASAL

Описание: MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
RFQ
ALD1102APAL

ALD1102APAL

Описание: MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
RFQ
ALD1105PBL

ALD1105PBL

Описание: MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
RFQ
ALD1101PAL

ALD1101PAL

Описание: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
RFQ
ALD1105SBL

ALD1105SBL

Описание: MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
RFQ
ALD1102BPAL

ALD1102BPAL

Описание: MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
RFQ
ALD1106SBL

ALD1106SBL

Описание: MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
RFQ
ALD1101ASAL

ALD1101ASAL

Описание: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
RFQ
ALD1101BSAL

ALD1101BSAL

Описание: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
RFQ
ALD1101SAL

ALD1101SAL

Описание: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
RFQ
ALD1106PBL

ALD1106PBL

Описание: MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
RFQ
ALD1103SBL

ALD1103SBL

Описание: MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
RFQ
ALD1102BSAL

ALD1102BSAL

Описание: MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
RFQ
ALD1101APAL

ALD1101APAL

Описание: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
RFQ
ALD1102SAL

ALD1102SAL

Описание: MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
RFQ
ALD1107PBL

ALD1107PBL

Описание: MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
RFQ
ALD1101BPAL

ALD1101BPAL

Описание: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
RFQ
ALD1107SBL

ALD1107SBL

Описание: MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
RFQ
ALD110800APCL

ALD110800APCL

Описание: MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
RFQ
ALD1103PBL

ALD1103PBL

Описание: MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP

Производители: Advanced Linear Devices, Inc.
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.