Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Интегральные схемы (ICs) > Память > AS4C1M16S-6TIN
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
4176076AS4C1M16S-6TIN Image.Alliance Memory, Inc.

AS4C1M16S-6TIN

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$2.13
10+
$1.942
25+
$1.89
50+
$1.88
117+
$1.681
351+
$1.676
585+
$1.651
1053+
$1.58
5031+
$1.471
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    AS4C1M16S-6TIN
  • Изготовитель / Производитель
    Alliance Memory, Inc.
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    AS4C1M16S-6TIN.pdf
  • Время цикла записи - слово, страница
    2ns
  • Напряжение тока - поставка
    3 V ~ 3.6 V
  • Технологии
    SDRAM
  • Поставщик Упаковка устройства
    50-TSOP II
  • Серии
    -
  • упаковка
    Tray
  • Упаковка /
    50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Другие названия
    1450-1270
    AS4C1M16S-6TIN-ND
  • Рабочая Температура
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип памяти
    Volatile
  • Размер памяти
    16Mb (1M x 16)
  • Интерфейс памяти
    Parallel
  • Формат памяти
    DRAM
  • Стандартное время изготовления
    8 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Подробное описание
    SDRAM Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 50-TSOP II
  • Тактовая частота
    166MHz
  • Время доступа
    5.4ns

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с AS4C1M16S-6TIN.
AS4C16M32MS-7BCNTR

AS4C16M32MS-7BCNTR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C256M16D3-12BCN

AS4C256M16D3-12BCN

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C256M16D3-12BAN

AS4C256M16D3-12BAN

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C256M16D3-12BANTR

AS4C256M16D3-12BANTR

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C1M16S-6TCN

AS4C1M16S-6TCN

Описание: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C1M16S-6TCNTR

AS4C1M16S-6TCNTR

Описание: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C1G8MD3L-12BCN

AS4C1G8MD3L-12BCN

Описание: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C16M32MS-6BINTR

AS4C16M32MS-6BINTR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C256M16D3A-12BAN

AS4C256M16D3A-12BAN

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C1M16S-7TCNTR

AS4C1M16S-7TCNTR

Описание: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C1G8MD3L-12BCNTR

AS4C1G8MD3L-12BCNTR

Описание: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C1M16S-6TINTR

AS4C1M16S-6TINTR

Описание: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C256M16D3-12BCNTR

AS4C256M16D3-12BCNTR

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C16M32MSA-6BINTR

AS4C16M32MSA-6BINTR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C16M32MS-7BCN

AS4C16M32MS-7BCN

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C1M16S-7TCN

AS4C1M16S-7TCN

Описание: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C16M32MS-6BIN

AS4C16M32MS-6BIN

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C16M32MSA-6BIN

AS4C16M32MSA-6BIN

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C256M16D3-12BIN

AS4C256M16D3-12BIN

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C256M16D3-12BINTR

AS4C256M16D3-12BINTR

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.