Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Интегральные схемы (ICs) > Память > AS4C64M4SA-7TCN
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
962141AS4C64M4SA-7TCN Image.Alliance Memory, Inc.

AS4C64M4SA-7TCN

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$3.84
10+
$3.483
25+
$3.408
50+
$3.389
108+
$3.039
324+
$3.028
540+
$2.916
1080+
$2.773
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    AS4C64M4SA-7TCN
  • Изготовитель / Производитель
    Alliance Memory, Inc.
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
  • Спецификация
    AS4C64M4SA-7TCN.pdf
  • Время цикла записи - слово, страница
    -
  • Напряжение тока - поставка
    3 V ~ 3.6 V
  • Технологии
    SDRAM - DDR
  • Поставщик Упаковка устройства
    54-TSOP II
  • Серии
    -
  • упаковка
    Tray
  • Упаковка /
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Другие названия
    1450-1442
    AS4C64M4SA-7TCN-ND
  • Рабочая Температура
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип памяти
    Volatile
  • Размер памяти
    256Mb (64M x 4)
  • Интерфейс памяти
    Parallel
  • Формат памяти
    DRAM
  • Стандартное время изготовления
    8 Weeks
  • Подробное описание
    SDRAM - DDR Memory IC 256Mb (64M x 4) Parallel 143MHz 5.5ns 54-TSOP II
  • Тактовая частота
    143MHz
  • Время доступа
    5.5ns

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с AS4C64M4SA-7TCN.
AS4C64M8D1-5BCN

AS4C64M8D1-5BCN

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C64M4SA-6TIN

AS4C64M4SA-6TIN

Описание: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C64M32MD1-5BIN

AS4C64M32MD1-5BIN

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C64M4SA-7TCNTR

AS4C64M4SA-7TCNTR

Описание: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C64M32MD2-25BCN

AS4C64M32MD2-25BCN

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C64M32MD1-5BINTR

AS4C64M32MD1-5BINTR

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C64M32MD2A-25BCNTR

AS4C64M32MD2A-25BCNTR

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C64M8D1-5BIN

AS4C64M8D1-5BIN

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C64M8D1-5TIN

AS4C64M8D1-5TIN

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C64M8D1-5TCNTR

AS4C64M8D1-5TCNTR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C64M8D1-5TCN

AS4C64M8D1-5TCN

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C64M8D1-5BINTR

AS4C64M8D1-5BINTR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C64M8D2-25BAN

AS4C64M8D2-25BAN

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C64M32MD2-25BCNTR

AS4C64M32MD2-25BCNTR

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C64M32MD1-5BCN

AS4C64M32MD1-5BCN

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C64M32MD2A-25BCN

AS4C64M32MD2A-25BCN

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C64M4SA-6TINTR

AS4C64M4SA-6TINTR

Описание: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C64M8D1-5BCNTR

AS4C64M8D1-5BCNTR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C64M32MD1-5BCNTR

AS4C64M32MD1-5BCNTR

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
AS4C64M8D1-5TINTR

AS4C64M8D1-5TINTR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.