Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMG1016V-7
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1234555DMG1016V-7 Image.Diodes Incorporated

DMG1016V-7

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
3000+
$0.114
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMG1016V-7
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N/P-CH 20V SOT563
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    DMG1016V-7.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Поставщик Упаковка устройства
    SOT-563
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    400 mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Мощность - Макс
    530mW
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    SOT-563, SOT-666
  • Другие названия
    DMG1016V-7DITR
    DMG1016V7
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    32 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    60.67pF @ 16V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    0.74nC @ 4.5V
  • Тип FET
    N and P-Channel
  • FET Характеристика
    Logic Level Gate
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    20V
  • Подробное описание
    Mosfet Array N and P-Channel 20V 870mA, 640mA 530mW Surface Mount SOT-563
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    870mA, 640mA
  • Номер базового номера
    DMG1016V

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с DMG1016V-7.
DMG1016VQ-7

DMG1016VQ-7

Описание: MOSFET N/P-CH 20V SOT563

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG1012UW-7

DMG1012UW-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG1026UVQ-7

DMG1026UVQ-7

Описание: MOSFET 2 N-CH 60V 440MA SOT563

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG1016VQ-13

DMG1016VQ-13

Описание: MOSFET N/P-CH 20V SOT563

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG10N60SCT

DMG10N60SCT

Описание: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG1012TQ-7

DMG1012TQ-7

Описание: MOSFET NCH 20V 630MA SOT523

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG1013T-7

DMG1013T-7

Описание: MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG1023UV-7

DMG1023UV-7

Описание: MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG1553-1

DMG1553-1

Описание: TRANSFORMER PBC

Производители: Pulse Electronics Corporation
Быть в наличии
RFQ
DMG1026UV-7

DMG1026UV-7

Описание: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG1013UWQ-13

DMG1013UWQ-13

Описание: MOSFET PCH 20V 820MA SOT323

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG1553-2

DMG1553-2

Описание: TRANSFORMER PBC

Производители: Pulse Electronics Corporation
Быть в наличии
RFQ
DMG1029SV-7

DMG1029SV-7

Описание: MOSFET N/P-CH 60V SOT563

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG1024UV-7

DMG1024UV-7

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG1013UWQ-7

DMG1013UWQ-7

Описание: MOSFET P-CH 20V 0.82A SOT323

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG1012T-7

DMG1012T-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG1553-3

DMG1553-3

Описание: TRANSFORMER PBC

Производители: Pulse Electronics Corporation
Быть в наличии
RFQ
DMG1013UW-7

DMG1013UW-7

Описание: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG1016UDW-7

DMG1016UDW-7

Описание: MOSFET N/P-CH 20V SOT363

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG1013TQ-7

DMG1013TQ-7

Описание: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.