Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMG3N60SJ3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1484652

DMG3N60SJ3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
75+
$0.62
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMG3N60SJ3
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Содержит совместимость с RoHS / RoHS
  • Спецификация
    DMG3N60SJ3.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±30V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    TO-251
  • Серии
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.5 Ohm @ 1.5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    41W (Tc)
  • упаковка
    Tube
  • Упаковка /
    TO-251-3, IPak, Short Leads
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Through Hole
  • Стандартное время изготовления
    22 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    354pF @ 25V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    12.6nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    650V
  • Подробное описание
    N-Channel 650V 2.8A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    2.8A (Tc)

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с DMG3N60SJ3.
DMG3N60SCT

DMG3N60SCT

Описание: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG4406LSS-13

DMG4406LSS-13

Описание: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG4468LFG-7

DMG4468LFG-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG4468LFG

DMG4468LFG

Описание: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG3415UFY4-7

DMG3415UFY4-7

Описание: MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG3414UQ-13

DMG3414UQ-13

Описание: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG4435SSS-13

DMG4435SSS-13

Описание: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG3420U-7

DMG3420U-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG3414U-7

DMG3414U-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG4496SSS-13

DMG4496SSS-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG3415UFY4Q-7

DMG3415UFY4Q-7

Описание: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG3418L-7

DMG3418L-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13

Описание: MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG4468LK3-13

DMG4468LK3-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG4466SSS-13

DMG4466SSS-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG3415U-7

DMG3415U-7

Описание: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG3418L-13

DMG3418L-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG3414UQ-7

DMG3414UQ-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG4466SSSL-13

DMG4466SSSL-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG4407SSS-13

DMG4407SSS-13

Описание: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.