Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMG4800LSD-13
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
6556414DMG4800LSD-13 Image.Diodes Incorporated

DMG4800LSD-13

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$0.68
10+
$0.569
100+
$0.426
500+
$0.313
1000+
$0.242
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMG4800LSD-13
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    DMG4800LSD-13.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    1.6V @ 250µA
  • Поставщик Упаковка устройства
    8-SOP
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16 mOhm @ 9A, 10V
  • Мощность - Макс
    1.17W
  • упаковка
    Original-Reel®
  • Упаковка /
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Другие названия
    DMG4800LSD-13DIDKR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    32 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    798pF @ 10V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    8.56nC @ 5V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Характеристика
    Logic Level Gate
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.5A 1.17W Surface Mount 8-SOP
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    7.5A
  • Номер базового номера
    DMG4800LSD

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с DMG4800LSD-13.
DMG4932LSD-13

DMG4932LSD-13

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG504010R

DMG504010R

Описание: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6

Производители: Panasonic
Быть в наличии
RFQ
DMG4712SSS-13

DMG4712SSS-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG4N60SCT

DMG4N60SCT

Описание: MOSFET NCH 600V 4.5A TO220

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG4N65CTI

DMG4N65CTI

Описание: MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG4800LK3-13

DMG4800LK3-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 10A TO252

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG4812SSS-13

DMG4812SSS-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG4496SSS-13

DMG4496SSS-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG4822SSDQ-13

DMG4822SSDQ-13

Описание: MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG4N60SK3-13

DMG4N60SK3-13

Описание: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG4468LK3-13

DMG4468LK3-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG4466SSSL-13

DMG4466SSSL-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG4468LFG

DMG4468LFG

Описание: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG4822SSD-13

DMG4822SSD-13

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG4800LFG-7

DMG4800LFG-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG4511SK4-13

DMG4511SK4-13

Описание: MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG4N65CT

DMG4N65CT

Описание: MOSFET N CH 650V 4A TO220-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG4468LFG-7

DMG4468LFG-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG4710SSS-13

DMG4710SSS-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG4N60SJ3

DMG4N60SJ3

Описание: MOSFET NCH 600V 3A TO251

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.