Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMG8880LK3-13
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
557042DMG8880LK3-13 Image.Diodes Incorporated

DMG8880LK3-13

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$0.84
10+
$0.743
100+
$0.569
500+
$0.45
1000+
$0.36
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMG8880LK3-13
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    DMG8880LK3-13.pdf
  • Модель ECAD
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    TO-252-3
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.3 mOhm @ 11.6A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    1.68W (Ta)
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Другие названия
    DMG8880LK3-13DICT
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    1289pF @ 15V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    27.6nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    N-Channel 30V 11A (Ta) 1.68W (Ta) Surface Mount TO-252-3
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    11A (Ta)

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip объявляет о 500 увольнениях,...

2024/12/4

Quanta: AI -спрос продолжает остават...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung значительно снижает исполь...

2024/12/2

Vishay инвестирует 51 миллион фунто...

2024/11/29
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с DMG8880LK3-13.
DMG7401SFGQ-7

DMG7401SFGQ-7

Описание: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG7N65SCTI

DMG7N65SCTI

Описание: MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG963H10R

DMG963H10R

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Производители: Panasonic
Быть в наличии
RFQ
DMG963010R

DMG963010R

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Производители: Panasonic
Быть в наличии
RFQ
DMG8601UFG-7

DMG8601UFG-7

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG7702SFG-13

DMG7702SFG-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG7N65SCT

DMG7N65SCT

Описание: MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG8N65SCT

DMG8N65SCT

Описание: MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG7N65SJ3

DMG7N65SJ3

Описание: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG963H50R

DMG963H50R

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Производители: Panasonic
Быть в наличии
RFQ
DMG904010R

DMG904010R

Описание: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SSMINI6

Производители: Panasonic
Быть в наличии
RFQ
DMG8822UTS-13

DMG8822UTS-13

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG7408SFG-7

DMG7408SFG-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG963020R

DMG963020R

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Производители: Panasonic
Быть в наличии
RFQ
DMG963HD0R

DMG963HD0R

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Производители: Panasonic
Быть в наличии
RFQ
DMG8880LSS-13

DMG8880LSS-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG7430LFG-7

DMG7430LFG-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG7702SFG-7

DMG7702SFG-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMG963030R

DMG963030R

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Производители: Panasonic
Быть в наличии
RFQ
DMG963HC0R

DMG963HC0R

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Производители: Panasonic
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиНовостиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.