Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMJ70H1D3SJ3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
6210636DMJ70H1D3SJ3 Image.Diodes Incorporated

DMJ70H1D3SJ3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
75+
$1.027
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMJ70H1D3SJ3
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH TO251
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Содержит совместимость с RoHS / RoHS
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    TO-251
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    41W (Tc)
  • упаковка
    Tube
  • Упаковка /
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 155°C (TJ)
  • Тип установки
    Through Hole
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    7 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    351pF @ 50V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    13.9nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    700V
  • Подробное описание
    N-Channel 700V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    4.6A (Tc)
DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3

Описание: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMJT9435-13

DMJT9435-13

Описание: TRANS PNP 30V 3A SOT-223

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

Описание: MOSFET N-CH 700V 3.9A

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

Описание: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

Описание: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMJ70H1D3SI3

DMJ70H1D3SI3

Описание: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
IXTH3N150

IXTH3N150

Описание: MOSFET N-CH 1500V 3A TO-247

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
DMJ2833-000

DMJ2833-000

Описание: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Производители: Skyworks Solutions, Inc.
Быть в наличии
RJL6013DPE-00#J3

RJL6013DPE-00#J3

Описание: MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK

Производители: Renesas Electronics America
Быть в наличии
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

Описание: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMT3006LFDF-7

DMT3006LFDF-7

Описание: MOSFET BVDSS: 31V 40V,U-DFN2020-

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
IPB60R380C6ATMA1

IPB60R380C6ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO263

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
AON6450L_001

AON6450L_001

Описание: MOSFET N-CH 100V 8DFN

Производители: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Быть в наличии
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

Описание: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
SQ3427EV-T1_GE3

SQ3427EV-T1_GE3

Описание: MOSFET P-CH 60V 6TSOP

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
FDD4243-F085P

FDD4243-F085P

Описание: PMOS DPAK 40V 44 MOHM

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
5LN01M-TL-H

5LN01M-TL-H

Описание: MOSFET N-CH 50V 100MA SC59

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
DMJ70H600SH3

DMJ70H600SH3

Описание: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

Описание: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

Описание: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти