Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMN1045UFR4-7
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
4807843DMN1045UFR4-7 Image.Diodes Incorporated

DMN1045UFR4-7

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
3000+
$0.11
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMN1045UFR4-7
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    DMN1045UFR4-7.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±8V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    X2-DFN1010-3
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    45 mOhm @ 3.2A, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    500mW (Ta)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    3-XFDFN
  • Другие названия
    DMN1045UFR4-7DITR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    16 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    375pF @ 10V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    4.8nC @ 4.5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    12V
  • Подробное описание
    N-Channel 12V 3.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1010-3
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    3.2A (Ta)

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с DMN1045UFR4-7.
DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7

Описание: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN1019UFDE-7

DMN1019UFDE-7

Описание: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN1019USN-13

DMN1019USN-13

Описание: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13

Описание: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13

Описание: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13

Описание: MOSFET N-CH 100V 18A TO252

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN1019USN-7

DMN1019USN-7

Описание: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN1032UCB4-7

DMN1032UCB4-7

Описание: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

Описание: MOSFET N-CH 100V 4.2A

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN1053UCP4-7

DMN1053UCP4-7

Описание: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

Описание: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN10H099SFG-7

DMN10H099SFG-7

Описание: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN1029UFDB-13

DMN1029UFDB-13

Описание: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13

Описание: MOSFET N-CH 100V 17A TO252

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN1017UCP3-7

DMN1017UCP3-7

Описание: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN10H120SFG-7

DMN10H120SFG-7

Описание: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN1033UCB4-7

DMN1033UCB4-7

Описание: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN1019UVT-13

DMN1019UVT-13

Описание: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN10H170SFDE-13

DMN10H170SFDE-13

Описание: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7

Описание: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.