Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMN10H700S-7
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
5641701DMN10H700S-7 Image.Diodes Incorporated

DMN10H700S-7

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
3000+
$0.086
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMN10H700S-7
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    DMN10H700S-7.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    SOT-23
  • Серии
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    700 mOhm @ 1.5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    400mW (Ta)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Другие названия
    DMN10H700S-7DITR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    12 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    235pF @ 50V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    4.6nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    100V
  • Подробное описание
    N-Channel 100V 700mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    700mA (Ta)

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с DMN10H700S-7.
DMN15H310SK3-13

DMN15H310SK3-13

Описание: MOSFET NCH 150V 8.3A TO252

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN10H220LVT-7

DMN10H220LVT-7

Описание: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN1260UFA-7B

DMN1260UFA-7B

Описание: MOSFET N-CH 12V 0.5A X2DFN-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN13H750S-7

DMN13H750S-7

Описание: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN10H170SVTQ-13

DMN10H170SVTQ-13

Описание: MOSFET N-CH 100V TSOT26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN16M9UCA6-7

DMN16M9UCA6-7

Описание: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN13M9UCA6-7

DMN13M9UCA6-7

Описание: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN10H170SVTQ-7

DMN10H170SVTQ-7

Описание: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN1250UFEL-7

DMN1250UFEL-7

Описание: MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN15H310SE-13

DMN15H310SE-13

Описание: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN10H220L-7

DMN10H220L-7

Описание: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN10H220LE-13

DMN10H220LE-13

Описание: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN1150UFL3-7

DMN1150UFL3-7

Описание: MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN10H220LVT-13

DMN10H220LVT-13

Описание: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN10H220LQ-7

DMN10H220LQ-7

Описание: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN10H220LQ-13

DMN10H220LQ-13

Описание: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN13H750S-13

DMN13H750S-13

Описание: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN1150UFB-7B

DMN1150UFB-7B

Описание: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN10H220L-13

DMN10H220L-13

Описание: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN10H700S-13

DMN10H700S-13

Описание: MOSFET NCH 100V 700MA SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.