Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMN2005LPK-7
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
2813690DMN2005LPK-7 Image.Diodes Incorporated

DMN2005LPK-7

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$0.62
10+
$0.436
100+
$0.287
500+
$0.169
1000+
$0.13
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMN2005LPK-7
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    DMN2005LPK-7.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    1.2V @ 100µA
  • Vgs (макс.)
    ±10V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    3-DFN1006 (1.0x0.6)
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5 Ohm @ 10mA, 4V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    450mW (Ta)
  • упаковка
    Original-Reel®
  • Упаковка /
    3-UFDFN
  • Другие названия
    DMN2005LPK-7DIDKR
  • Рабочая Температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    20 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    20V
  • Подробное описание
    N-Channel 20V 440mA (Ta) 450mW (Ta) Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6)
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    440mA (Ta)

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с DMN2005LPK-7.
DMN2005DLP4K-7

DMN2005DLP4K-7

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2004DWKQ-7

DMN2004DWKQ-7

Описание: MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2004DWK-7

DMN2004DWK-7

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2005LP4K-7

DMN2005LP4K-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2008LFU-7

DMN2008LFU-7

Описание: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2004WK-7

DMN2004WK-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2004VK-7

DMN2004VK-7

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2004WKQ-7

DMN2004WKQ-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2004K-7

DMN2004K-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2010UDZ-7

DMN2010UDZ-7

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2005UFG-13

DMN2005UFG-13

Описание: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2011UFDE-7

DMN2011UFDE-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2005UPS-13

DMN2005UPS-13

Описание: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2011UFDE-13

DMN2011UFDE-13

Описание: MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2004TK-7

DMN2004TK-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2005UFG-7

DMN2005UFG-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2005K-7

DMN2005K-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2009LSS-13

DMN2009LSS-13

Описание: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2011UFDF-13

DMN2011UFDF-13

Описание: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2008LFU-13

DMN2008LFU-13

Описание: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.