Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMN2013UFX-7
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
2810850

DMN2013UFX-7

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
3000+
$0.321
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMN2013UFX-7
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    DMN2013UFX-7.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    1.1V @ 250µA
  • Поставщик Упаковка устройства
    W-DFN5020-6
  • Серии
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
  • Мощность - Макс
    2.14W
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    6-VFDFN Exposed Pad
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    20 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    2607pF @ 10V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    57.4nC @ 8V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET Характеристика
    Standard
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    20V
  • Подробное описание
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 10A (Ta) 2.14W Surface Mount W-DFN5020-6
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    10A (Ta)

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с DMN2013UFX-7.
DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2008LFU-7

DMN2008LFU-7

Описание: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2010UDZ-7

DMN2010UDZ-7

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2020UFCL-7

DMN2020UFCL-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2011UFDE-7

DMN2011UFDE-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2011UTS-13

DMN2011UTS-13

Описание: MOSFET N-CH 20V 21A 8-TSSOP

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2016LHAB-7

DMN2016LHAB-7

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2011UFDF-13

DMN2011UFDF-13

Описание: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2011UFX-7

DMN2011UFX-7

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2009LSS-13

DMN2009LSS-13

Описание: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2011UFDF-7

DMN2011UFDF-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2016LFG-7

DMN2016LFG-7

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2015UFDF-13

DMN2015UFDF-13

Описание: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2020LSN-7

DMN2020LSN-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2015UFDE-7

DMN2015UFDE-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2011UFDE-13

DMN2011UFDE-13

Описание: MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.