Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMN2022UNS-7
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
2170257DMN2022UNS-7 Image.Diodes Incorporated

DMN2022UNS-7

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$0.71
10+
$0.622
100+
$0.48
500+
$0.355
1000+
$0.284
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMN2022UNS-7
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    DMN2022UNS-7.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Поставщик Упаковка устройства
    PowerDI3333-8
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.8 mOhm @ 4A, 4.5V
  • Мощность - Макс
    1.2W
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    8-PowerVDFN
  • Другие названия
    DMN2022UNS-7DICT
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    20 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    1870pF @ 10V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    20.3nC @ 4.5V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET Характеристика
    Standard
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    20V
  • Подробное описание
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 10.7A (Ta) 1.2W Surface Mount PowerDI3333-8
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    10.7A (Ta)

Антропик получает еще 4 миллиард...

2024/11/23

Полу: продажи IC увеличиваются на...

2024/11/22

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с DMN2022UNS-7.
DMN2028UFDF-7

DMN2028UFDF-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 7.9A U-DFN2020-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2023UCB4-7

DMN2023UCB4-7

Описание: MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2028UFDF-13

DMN2028UFDF-13

Описание: MOSFET N-CH 20V 7.9A U-DFN2020-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2020UFCL-7

DMN2020UFCL-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2026UVT-13

DMN2026UVT-13

Описание: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2027LK3-13

DMN2027LK3-13

Описание: MOSFET N-CH 20V 11.6A DPAK

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2016LFG-7

DMN2016LFG-7

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2027UPS-13

DMN2027UPS-13

Описание: MOSFET N-CH 20V 10A POWERDI5060

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2028UFU-7

DMN2028UFU-7

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A UDFN2030-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2022UFDF-13

DMN2022UFDF-13

Описание: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2028UFU-13

DMN2028UFU-13

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 7.9A UDFN2020-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2026UVT-7

DMN2026UVT-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2022UFDF-7

DMN2022UFDF-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2020LSN-7

DMN2020LSN-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2016LHAB-7

DMN2016LHAB-7

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2022UNS-13

DMN2022UNS-13

Описание: MOSFET 8V 24V POWERDI3333-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2028UFDH-7

DMN2028UFDH-7

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.