Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMN2080UCB4-7
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
4028009

DMN2080UCB4-7

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
3000+
$0.142
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMN2080UCB4-7
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET BVDSS: 8V24V X2-WLB0808-
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    DMN2080UCB4-7.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±8V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    X2-WLB0808-4
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    56 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    710mW
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    4-XFBGA, WLBGA
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Стандартное время изготовления
    17 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    540pF @ 10V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    7.4nC @ 4.5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    20V
  • Подробное описание
    N-Channel 20V 3A (Ta) 710mW Surface Mount X2-WLB0808-4
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    3A (Ta)

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с DMN2080UCB4-7.
DMN2112SN-7

DMN2112SN-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2058U-7

DMN2058U-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2114SN-7

DMN2114SN-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2075UDW-7

DMN2075UDW-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2065UWQ-7

DMN2065UWQ-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2056U-13

DMN2056U-13

Описание: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2215UDM-7

DMN2215UDM-7

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT-26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2056U-7

DMN2056U-7

Описание: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2058UW-7

DMN2058UW-7

Описание: MOSFET N-CHAN 8V 24V SOT323

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2230UQ-13

DMN2230UQ-13

Описание: MOSFET NCH 20V 2A SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2075U-7

DMN2075U-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2050LFDB-7

DMN2050LFDB-7

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN21D2UFB-7B

DMN21D2UFB-7B

Описание: MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2065UW-7

DMN2065UW-7

Описание: MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2230U-7

DMN2230U-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2058U-13

DMN2058U-13

Описание: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2170U-7

DMN2170U-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2100UDM-7

DMN2100UDM-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN21D1UDA-7B

DMN21D1UDA-7B

Описание: MOSFET 2 N-CH 20V X2DFN0806-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2104L-7

DMN2104L-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.