Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMN2501UFB4-7
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
3988285DMN2501UFB4-7 Image.Diodes Incorporated

DMN2501UFB4-7

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
3000+
$0.114
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMN2501UFB4-7
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    DMN2501UFB4-7.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±8V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    X2-DFN1006-3
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    400 mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    500mW (Ta)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    3-XFDFN
  • Другие названия
    DMN2501UFB4-7DI
    DMN2501UFB4-7DI-ND
    DMN2501UFB4-7DITR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    16 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    82pF @ 16V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    2nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    20V
  • Подробное описание
    N-Channel 20V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    1A (Ta)

Антропик получает еще 4 миллиард...

2024/11/23

Полу: продажи IC увеличиваются на...

2024/11/22

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с DMN2501UFB4-7.
DMN2400UFB4-7

DMN2400UFB4-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2400UV-7

DMN2400UV-7

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2500UFB4-7

DMN2500UFB4-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2990UDJQ-7

DMN2990UDJQ-7

Описание: MOSFET 2 N-CHANNEL 450MA SOT963

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN24H3D5L-13

DMN24H3D5L-13

Описание: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2400UFD-7

DMN2400UFD-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2990UDJ-7

DMN2990UDJ-7

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN24H3D5L-7

DMN24H3D5L-7

Описание: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2990UFA-7B

DMN2990UFA-7B

Описание: MOSFET N-CH 20V 0.51A

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2990UFO-7B

DMN2990UFO-7B

Описание: MOSFET N-CH 20V 750MA X2DFN0604

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2400UFB-7

DMN2400UFB-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2600UFB-7

DMN2600UFB-7

Описание: MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN26D0UDJ-7

DMN26D0UDJ-7

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN25D0UFA-7B

DMN25D0UFA-7B

Описание: MOSFET N-CH 25V 0.24A 3DFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2400UFDQ-7

DMN2400UFDQ-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN26D0UFB4-7

DMN26D0UFB4-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 230MA DFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN26D0UT-7

DMN26D0UT-7

Описание: MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2400UFDQ-13

DMN2400UFDQ-13

Описание: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2450UFD-7

DMN2450UFD-7

Описание: MOSFETN-CHAN 20V X1-DFN1212-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN2550UFA-7B

DMN2550UFA-7B

Описание: MOSFET N-CH 20V 0.6A X2DFN-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.