Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMN3025LFG-13
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1842870DMN3025LFG-13 Image.Diodes Incorporated

DMN3025LFG-13

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
3000+
$0.196
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMN3025LFG-13
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 30V 7.5A POWERDI
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    DMN3025LFG-13.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PowerDI3333-8
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    18 mOhm @ 7.8A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    2W (Ta)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    8-PowerWDFN
  • Другие названия
    DMN3025LFG-13DI
    DMN3025LFG-13DI-ND
    DMN3025LFG-13DITR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    32 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    605pF @ 15V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    11.6nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    N-Channel 30V 7.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    7.5A (Ta)

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с DMN3025LFG-13.
DMN3027LFG-13

DMN3027LFG-13

Описание: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3026LVTQ-13

DMN3026LVTQ-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3024LK3-13

DMN3024LK3-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3029LFG-7

DMN3029LFG-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3025LFDF-13

DMN3025LFDF-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 9.9A UDFN2020-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3023L-13

DMN3023L-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3025LFG-7

DMN3025LFG-7

Описание: MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3025LFDF-7

DMN3025LFDF-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 9.9A UDFN2020-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3025LSS-13

DMN3025LSS-13

Описание: MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3024SFG-7

DMN3024SFG-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3025LFV-13

DMN3025LFV-13

Описание: MOSFET N-CHAN 25V 30V POWERDI333

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3026LVTQ-7

DMN3026LVTQ-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3024LSD-13

DMN3024LSD-13

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3024SFG-13

DMN3024SFG-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3024LSS-13

DMN3024LSS-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3023L-7

DMN3023L-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3026LVT-7

DMN3026LVT-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3027LFG-7

DMN3027LFG-7

Описание: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3030LFG-7

DMN3030LFG-7

Описание: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3021LFDF-7

DMN3021LFDF-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 11.8A UDFN2020-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.