Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMN3032LE-13
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
5560210DMN3032LE-13 Image.Diodes Incorporated

DMN3032LE-13

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
2500+
$0.223
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMN3032LE-13
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    DMN3032LE-13.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    SOT-223
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    29 mOhm @ 3.2A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    1.8W (Ta)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    TO-261-4, TO-261AA
  • Другие названия
    DMN3032LE-13DITR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    16 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    498pF @ 15V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    11.3nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    N-Channel 30V 5.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    5.6A (Ta)
  • Номер базового номера
    DMN3032

AMD запускает строительство втор...

2024/11/26

Графическая карта NVIDIA RTX 5090 имее...

2024/11/25

Антропик получает еще 4 миллиард...

2024/11/23

Полу: продажи IC увеличиваются на...

2024/11/22

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с DMN3032LE-13.
DMN3032LFDB-13

DMN3032LFDB-13

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3033LSNQ-13

DMN3033LSNQ-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3033LSNQ-7

DMN3033LSNQ-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3033LDM-7

DMN3033LDM-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3032LFDBQ-13

DMN3032LFDBQ-13

Описание: MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3029LFG-7

DMN3029LFG-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3030LFG-7

DMN3030LFG-7

Описание: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3026LVT-7

DMN3026LVT-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3025LSS-13

DMN3025LSS-13

Описание: MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3027LFG-13

DMN3027LFG-13

Описание: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3033LSDQ-13

DMN3033LSDQ-13

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3032LFDB-7

DMN3032LFDB-7

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3026LVTQ-13

DMN3026LVTQ-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3031LSS-13

DMN3031LSS-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3033LSD-13

DMN3033LSD-13

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3032LFDBQ-7

DMN3032LFDBQ-7

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3030LSS-13

DMN3030LSS-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3033LSN-7

DMN3033LSN-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3027LFG-7

DMN3027LFG-7

Описание: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3026LVTQ-7

DMN3026LVTQ-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.