Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMN4008LFG-7
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
4141947DMN4008LFG-7 Image.Diodes Incorporated

DMN4008LFG-7

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$0.91
10+
$0.796
100+
$0.614
500+
$0.455
1000+
$0.364
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMN4008LFG-7
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    DMN4008LFG-7.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PowerDI3333-8
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.5 mOhm @ 10A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    1W (Ta)
  • упаковка
    Original-Reel®
  • Упаковка /
    8-PowerWDFN
  • Другие названия
    DMN4008LFG-7DIDKR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    32 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    3537pF @ 20V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    74nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    3.3V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    40V
  • Подробное описание
    N-Channel 40V 14.4A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    14.4A (Ta)

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с DMN4008LFG-7.
DMN3730UFB-7

DMN3730UFB-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 750MA DFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN4026SK3-13

DMN4026SK3-13

Описание: MOSFET N-CH 40V 28A TO252

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN4015LK3-13

DMN4015LK3-13

Описание: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN4020LFDE-13

DMN4020LFDE-13

Описание: MOSFET N-CH 40V 8A U-DFN2020-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN33D8LT-13

DMN33D8LT-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN4008LFG-13

DMN4008LFG-13

Описание: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3404L-7

DMN3404L-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3730UFB4-7

DMN3730UFB4-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 750MA DFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN4010LFG-7

DMN4010LFG-7

Описание: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN4025LSD-13

DMN4025LSD-13

Описание: MOSFET N-CH 40V 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN4010LFG-13

DMN4010LFG-13

Описание: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3730U-7

DMN3730U-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN4026SSDQ-13

DMN4026SSDQ-13

Описание: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN33D8LDW-13

DMN33D8LDW-13

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN4009LK3-13

DMN4009LK3-13

Описание: MOSFET N-CH 40V 18A DPAK

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN4026SSD-13

DMN4026SSD-13

Описание: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN4020LFDE-7

DMN4020LFDE-7

Описание: MOSFET N-CH 40V 6-UDFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3900UFA-7B

DMN3900UFA-7B

Описание: MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN33D8LT-7

DMN33D8LT-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN33D8LDW-7

DMN33D8LDW-7

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.