Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMN6069SE-13
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
6744828DMN6069SE-13 Image.Diodes Incorporated

DMN6069SE-13

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
2500+
$0.199
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMN6069SE-13
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFETN-CH 60VSOT223
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    DMN6069SE-13.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    SOT-223
  • Серии
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    69 mOhm @ 3A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    2.2W (Ta)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    TO-261-4, TO-261AA
  • Другие названия
    DMN6069SE-13DITR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    16 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    825pF @ 30V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    16nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    60V
  • Подробное описание
    N-Channel 60V 4.3A (Ta), 10A (Tc) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    4.3A (Ta), 10A (Tc)

Антропик получает еще 4 миллиард...

2024/11/23

Полу: продажи IC увеличиваются на...

2024/11/22

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с DMN6069SE-13.
DMN6069SFG-7

DMN6069SFG-7

Описание: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN6068LK3-13

DMN6068LK3-13

Описание: MOSFET N-CH 60V 6A DPAK

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN6069SFG-13

DMN6069SFG-13

Описание: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN6040SSS-13

DMN6040SSS-13

Описание: MOSFET N CH 60V 5.5A 8-SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN60H080DS-13

DMN60H080DS-13

Описание: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN6075S-7

DMN6075S-7

Описание: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN6069SFGQ-7

DMN6069SFGQ-7

Описание: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN6066SSS-13

DMN6066SSS-13

Описание: MOSFET N-CH 60V 3.7A 8SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN6070SFCL-7

DMN6070SFCL-7

Описание: MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN6069SFGQ-13

DMN6069SFGQ-13

Описание: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN6068SE-13

DMN6068SE-13

Описание: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN6070SY-13

DMN6070SY-13

Описание: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN6070SSD-13

DMN6070SSD-13

Описание: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN6040SSDQ-13

DMN6040SSDQ-13

Описание: MOSFET N-CH 60V 5.0A SO-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN6068LK3Q-13

DMN6068LK3Q-13

Описание: MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN6040SVTQ-13

DMN6040SVTQ-13

Описание: MOSFET NCH 60V 5A TSOT26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN6040SVT-7

DMN6040SVT-7

Описание: MOSFET N CH 60V 5A TSOT26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN6040SVTQ-7

DMN6040SVTQ-7

Описание: MOSFET N-CH 60V 5A TSOT26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN6075S-13

DMN6075S-13

Описание: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN6066SSD-13

DMN6066SSD-13

Описание: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.