Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMN63D8LDW-7
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
851302DMN63D8LDW-7 Image.Diodes Incorporated

DMN63D8LDW-7

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
3000+
$0.059
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMN63D8LDW-7
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    DMN63D8LDW-7.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Поставщик Упаковка устройства
    SOT-363
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.8 Ohm @ 250mA, 10V
  • Мощность - Макс
    300mW
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Другие названия
    DMN63D8LDW-7TR
    DMN63D8LDW7
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    24 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    22pF @ 25V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    870nC @ 10V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Характеристика
    Logic Level Gate
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 220mA 300mW Surface Mount SOT-363
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    220mA
  • Номер базового номера
    DMN63D8L

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с DMN63D8LDW-7.
DMN63D8LDW-13

DMN63D8LDW-13

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN63D1LW-13

DMN63D1LW-13

Описание: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN63D8LW-7

DMN63D8LW-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN63D1LV-7

DMN63D1LV-7

Описание: MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN63D8LW-13

DMN63D8LW-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN65D8LDWQ-7

DMN65D8LDWQ-7

Описание: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN63D8L-13

DMN63D8L-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN63D8LDWQ-7

DMN63D8LDWQ-7

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN65D8LDWQ-13

DMN65D8LDWQ-13

Описание: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN65D8LFB-7

DMN65D8LFB-7

Описание: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN63D1LV-13

DMN63D1LV-13

Описание: MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN65D8L-7

DMN65D8L-7

Описание: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN63D1LDW-7

DMN63D1LDW-7

Описание: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN65D8LFB-7B

DMN65D8LFB-7B

Описание: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN63D1LT-13

DMN63D1LT-13

Описание: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN63D1LW-7

DMN63D1LW-7

Описание: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN63D8L-7

DMN63D8L-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7

Описание: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN63D8LV-7

DMN63D8LV-7

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN63D1LT-7

DMN63D1LT-7

Описание: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.