Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMN67D8L-13
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
3744050DMN67D8L-13 Image.Diodes Incorporated

DMN67D8L-13

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
10000+
$0.033
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMN67D8L-13
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    DMN67D8L-13.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±30V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    SOT-23
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5 Ohm @ 500mA, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    340mW (Ta)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    12 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    22pF @ 25V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    0.82nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    60V
  • Подробное описание
    N-Channel 60V 210mA (Ta) 340mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    210mA (Ta)

Intel получит 7,86 млрд. Долл. США в р...

2024/11/27

AMD запускает строительство втор...

2024/11/26

Графическая карта NVIDIA RTX 5090 имее...

2024/11/25

Антропик получает еще 4 миллиард...

2024/11/23

Полу: продажи IC увеличиваются на...

2024/11/22

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с DMN67D8L-13.
DMN67D8LW-13

DMN67D8LW-13

Описание: MOSFET N-CH 60V SOT323

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN67D8LDW-13

DMN67D8LDW-13

Описание: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN66D0LT-7

DMN66D0LT-7

Описание: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN66D0LDW-7

DMN66D0LDW-7

Описание: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN65D8LQ-13

DMN65D8LQ-13

Описание: MOSFET N-CH 60V SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN67D8L-7

DMN67D8L-7

Описание: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN65D8LQ-7

DMN65D8LQ-7

Описание: MOSFET N-CH 60V SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN67D7L-13

DMN67D7L-13

Описание: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN65D8LW-7

DMN65D8LW-7

Описание: MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN7022LFGQ-13

DMN7022LFGQ-13

Описание: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN65D8LFB-7

DMN65D8LFB-7

Описание: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN67D8LDW-7

DMN67D8LDW-7

Описание: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN80H2D0SCTI

DMN80H2D0SCTI

Описание: MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN7022LFG-13

DMN7022LFG-13

Описание: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN7022LFG-7

DMN7022LFG-7

Описание: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN67D8LW-7

DMN67D8LW-7

Описание: MOSFET N-CH 60V SOT323

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN65D8LFB-7B

DMN65D8LFB-7B

Описание: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN66D0LW-7

DMN66D0LW-7

Описание: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN67D7L-7

DMN67D7L-7

Описание: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN7022LFGQ-7

DMN7022LFGQ-7

Описание: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.