Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMNH6012LK3Q-13
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
4856953

DMNH6012LK3Q-13

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
2500+
$0.575
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMNH6012LK3Q-13
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET NCH 60V 80A TO252
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Содержит совместимость с RoHS / RoHS
  • Спецификация
    DMNH6012LK3Q-13.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    TO-252-4L
  • Серии
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12 mOhm @ 25A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    2W (Ta)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
  • Другие названия
    DMNH6012LK3Q-13-ND
    DMNH6012LK3Q-13DITR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    24 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    1926pF @ 30V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    35.2nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    60V
  • Подробное описание
    N-Channel 60V 80A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount TO-252-4L
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    80A (Tc)

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с DMNH6012LK3Q-13.
DMNH6021SPDQ-13

DMNH6021SPDQ-13

Описание: MOSFET 2NCH 60V 8.2A POWERDI

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMNH6021SK3Q-13

DMNH6021SK3Q-13

Описание: MOSFET NCH 60V 50A TO252

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMNH6021SPS-13

DMNH6021SPS-13

Описание: MOSFET NCH 60V 55A POWERDI

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMNH4026SSD-13

DMNH4026SSD-13

Описание: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.5A 8SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMNH6012SPS-13

DMNH6012SPS-13

Описание: MOSFET N-CHA 60V 50A POWERDI

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMNH6008SCT

DMNH6008SCT

Описание: MOSFET NCH 60V 130A TO220AB

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMNH4015SSD-13

DMNH4015SSD-13

Описание: MOSFET 2 N-CHANNEL 11A 8SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMNH6021SPD-13

DMNH6021SPD-13

Описание: MOSFET 2NCH 60V 8.2A POWERDI

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMNH6012LK3-13

DMNH6012LK3-13

Описание: MOSFET NCH 60V 60A TO252

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMNH6008SCTQ

DMNH6008SCTQ

Описание: MOSFET NCH 60V 130A TO220AB

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMNH6008SPSQ-13

DMNH6008SPSQ-13

Описание: MOSFET NCH 60V 16.5A POWERDI

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMNH6008SPS-13

DMNH6008SPS-13

Описание: MOSFET N-CH 60V 16.5A POWERDI

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMNH6012SPSQ-13

DMNH6012SPSQ-13

Описание: MOSFET NCH 60V 50A POWERDI

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMNH6022SSDQ-13

DMNH6022SSDQ-13

Описание: MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMNH6021SK3-13

DMNH6021SK3-13

Описание: MOSFET NCH 60V 50A TO252

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMNH4015SSDQ-13

DMNH4015SSDQ-13

Описание: MOSFET ARRAY N-CH 40V 8.6A 8SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMNH6021SPSQ-13

DMNH6021SPSQ-13

Описание: MOSFET NCH 60V 55A POWERDI

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMNH4026SSDQ-13

DMNH4026SSDQ-13

Описание: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.5A 8SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMNH4011SPSQ-13

DMNH4011SPSQ-13

Описание: MOSFET NCH 40V 12.9A POWERDI

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMNH6022SSD-13

DMNH6022SSD-13

Описание: MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.