Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMP10H4D2S-7
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1726005DMP10H4D2S-7 Image.Diodes Incorporated

DMP10H4D2S-7

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$0.53
10+
$0.373
100+
$0.245
500+
$0.145
1000+
$0.111
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMP10H4D2S-7
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET P-CH 100V 0.27A SOT23
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    DMP10H4D2S-7.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    SOT-23
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.2 Ohm @ 500mA, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    380mW (Ta)
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Другие названия
    DMP10H4D2S-7DICT
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    12 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    87pF @ 25V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    1.8nC @ 10V
  • Тип FET
    P-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    100V
  • Подробное описание
    P-Channel 100V 270mA (Ta) 380mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    270mA (Ta)

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с DMP10H4D2S-7.
DMP2004DMK-7

DMP2004DMK-7

Описание: MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT-26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMP1555UFA-7B

DMP1555UFA-7B

Описание: MOSFET P-CH 12V 0.2A X2DFN-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMP2004DWK-7

DMP2004DWK-7

Описание: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-363

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMP1081UCB4-7

DMP1081UCB4-7

Описание: MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMP2003UPS-13

DMP2003UPS-13

Описание: MOSFETP-CHAN 20V POWERDI5060-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMP10H400SE-13

DMP10H400SE-13

Описание: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMP1080UCB4-7

DMP1080UCB4-7

Описание: MOSFET P-CH 12V U-WLB1010-4

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMP2002UPS-13

DMP2002UPS-13

Описание: MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMP1055USW-7

DMP1055USW-7

Описание: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMP2004K-7

DMP2004K-7

Описание: MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMP1055USW-13

DMP1055USW-13

Описание: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMP1096UCB4-7

DMP1096UCB4-7

Описание: MOSFET P-CH 12V 2.6A 4-UFCSP

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMP1245UFCL-7

DMP1245UFCL-7

Описание: MOSFET P-CH 12V 6.6A 6-UFDFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMP1055UFDB-7

DMP1055UFDB-7

Описание: MOSFET 2PCH 12V 3.9A UDFN2020

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMP10H400SK3-13

DMP10H400SK3-13

Описание: MOSFET P-CH 100V 9A TO252

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMP1200UFR4-7

DMP1200UFR4-7

Описание: MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMP1100UCB4-7

DMP1100UCB4-7

Описание: MOSFET P-CHA 12V 2.5A WLB0808

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMP10H4D2S-13

DMP10H4D2S-13

Описание: MOSFET P-CH 100V 0.27A SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMP2004TK-7

DMP2004TK-7

Описание: MOSFET P-CH 20V 0.43A SOT-523

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMP10H400SEQ-13

DMP10H400SEQ-13

Описание: MOSFET P-CH 100V 2.3A SOT223

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.