Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMT10H015LK3-13
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
2082724DMT10H015LK3-13 Image.Diodes Incorporated

DMT10H015LK3-13

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$1.33
10+
$1.175
100+
$0.929
500+
$0.72
1000+
$0.569
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMT10H015LK3-13
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Содержит совместимость с RoHS / RoHS
  • Спецификация
    DMT10H015LK3-13.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    TO-252, (D-Pak)
  • Серии
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15 mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    2.9W (Ta)
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Другие названия
    DMT10H015LK3-13DICT
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    24 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    1871pF @ 50V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    33.3nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    100V
  • Подробное описание
    N-Channel 100V 50A (Tc) 2.9W (Ta) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    50A (Tc)

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с DMT10H015LK3-13.
DMT1D47K-F

DMT1D47K-F

Описание: CAP FILM 4700PF 10% 100VDC RAD

Производители: Cornell Dubilier Electronics
Быть в наличии
RFQ
DMT10H010SPS-13

DMT10H010SPS-13

Описание: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT1D22K

DMT1D22K

Описание: CAP FILM 2200PF 10% 100VDC RAD

Производители: Cornell Dubilier Electronics
Быть в наличии
RFQ
DMT1D33K

DMT1D33K

Описание: CAP FILM 3300PF 10% 100VDC RAD

Производители: Cornell Dubilier Electronics
Быть в наличии
RFQ
DMT1D15K-F

DMT1D15K-F

Описание: CAP FILM 1500PF 10% 100VDC RAD

Производители: Cornell Dubilier Electronics
Быть в наличии
RFQ
DMT10H015LFG-13

DMT10H015LFG-13

Описание: MOSFET N-CH 100V 10A

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT1D1K-F

DMT1D1K-F

Описание: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD

Производители: Cornell Dubilier Electronics
Быть в наличии
RFQ
DMT10H015LCG-7

DMT10H015LCG-7

Описание: MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT10H015LFG-7

DMT10H015LFG-7

Описание: MOSFET N-CH 100V 10A

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT10H014LSS-13

DMT10H014LSS-13

Описание: MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT10H015LSS-13

DMT10H015LSS-13

Описание: MOSFET N-CH 100V 8.3A

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT10H025SSS-13

DMT10H025SSS-13

Описание: MOSFETN-CHAN 100V SO-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT10H010LSS-13

DMT10H010LSS-13

Описание: MOSFET N-CH 100V SO-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT1D1K

DMT1D1K

Описание: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD

Производители: Cornell Dubilier Electronics
Быть в наличии
RFQ
DMT1D22K-F

DMT1D22K-F

Описание: CAP FILM 2200PF 10% 100VDC RAD

Производители: Cornell Dubilier Electronics
Быть в наличии
RFQ
DMT10H015LCG-13

DMT10H015LCG-13

Описание: MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT10H010LPS-13

DMT10H010LPS-13

Описание: MOSFET N-CH 100V 9.4A

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT10H015LPS-13

DMT10H015LPS-13

Описание: MOSFET N-CH 100V 7.3A

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT10H010LK3-13

DMT10H010LK3-13

Описание: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT10H010LCT

DMT10H010LCT

Описание: MOSFET N-CH 100V TO220AB

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.