Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMT36M1LPS-13
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
6272002DMT36M1LPS-13 Image.Diodes Incorporated

DMT36M1LPS-13

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$0.64
10+
$0.542
100+
$0.406
500+
$0.298
1000+
$0.23
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMT36M1LPS-13
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 30V 65A POWERDI5060
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Содержит совместимость с RoHS / RoHS
  • Спецификация
    DMT36M1LPS-13.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PowerDI5060-8
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6 mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    2.6W (Ta)
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    8-PowerTDFN
  • Другие названия
    DMT36M1LPS-13DICT
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    20 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    1155pF @ 15V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    16.7nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    N-Channel 30V 65A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    65A (Tc)

AMD запускает строительство втор...

2024/11/26

Графическая карта NVIDIA RTX 5090 имее...

2024/11/25

Антропик получает еще 4 миллиард...

2024/11/23

Полу: продажи IC увеличиваются на...

2024/11/22

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с DMT36M1LPS-13.
DMT35M7LFV-7

DMT35M7LFV-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT32M5LFG-7

DMT32M5LFG-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT4D47K

DMT4D47K

Описание: CAP FILM 4700PF 10% 400VDC RAD

Производители: Cornell Dubilier Electronics
Быть в наличии
RFQ
DMT34M2LPS-13

DMT34M2LPS-13

Описание: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT32M5LPS-13

DMT32M5LPS-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 150A POWERDI5060

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT35M7LFV-13

DMT35M7LFV-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT4002LPS-13

DMT4002LPS-13

Описание: MOSFET N-CH 40V 100A POWERDI5060

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT4011LFG-13

DMT4011LFG-13

Описание: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT34M1LPS-13

DMT34M1LPS-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 100A POWERDI5060

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT4011LFG-7

DMT4011LFG-7

Описание: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT4P1K-F

DMT4P1K-F

Описание: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Производители: Cornell Dubilier Electronics
Быть в наличии
RFQ
DMT3020LFDF-7

DMT3020LFDF-7

Описание: MOSFET N-CHA 30V 8.4A DFN2020

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT3N4R2U224M3DTA0

DMT3N4R2U224M3DTA0

Описание: CAPACITOR 220MF 20% 4.2V SMD

Производители: Murata Electronics
Быть в наличии
RFQ
DMT4004LPS-13

DMT4004LPS-13

Описание: MOSFET N-CHA 40V 26A POWERDI

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT4005SCT

DMT4005SCT

Описание: MOSFET NCH 40V 100A TO220AB

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT334R2S474M3DTA0

DMT334R2S474M3DTA0

Описание: CAP SUPER 470MF 4.2V 3-SMD

Производители: Murata Electronics
Быть в наличии
RFQ
DMT31M6LPS-13

DMT31M6LPS-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 35.8A POWERDI506

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT32M5LFG-13

DMT32M5LFG-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT4P22K

DMT4P22K

Описание: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Производители: Cornell Dubilier Electronics
Быть в наличии
RFQ
DMT4P1K

DMT4P1K

Описание: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Производители: Cornell Dubilier Electronics
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.