Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMT6009LFG-7
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
6684176DMT6009LFG-7 Image.Diodes Incorporated

DMT6009LFG-7

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$1.24
10+
$1.102
100+
$0.871
500+
$0.675
1000+
$0.533
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMT6009LFG-7
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 60V 11A
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    DMT6009LFG-7.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±16V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PowerDI3333-8
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10 mOhm @ 13.5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    8-PowerWDFN
  • Другие названия
    DMT6009LFG-7DICT
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    32 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    1925pF @ 30V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    33.5nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    60V
  • Подробное описание
    N-Channel 60V 11A (Ta), 34A (Tc) 2.08W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    11A (Ta), 34A (Tc)

Антропик получает еще 4 миллиард...

2024/11/23

Полу: продажи IC увеличиваются на...

2024/11/22

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с DMT6009LFG-7.
DMT6004SPS-13

DMT6004SPS-13

Описание: MOSFET N-CH 60V 23A POWERDI5060

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT6009LPS-13

DMT6009LPS-13

Описание: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT6008LFG-13

DMT6008LFG-13

Описание: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT6010LFG-13

DMT6010LFG-13

Описание: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT6009LK3-13

DMT6009LK3-13

Описание: MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT6007LFG-13

DMT6007LFG-13

Описание: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT6010LSS-13

DMT6010LSS-13

Описание: MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT6012LPS-13

DMT6012LPS-13

Описание: MOSFET N-CH 60V POWERDI

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT6005LCT

DMT6005LCT

Описание: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT6007LFG-7

DMT6007LFG-7

Описание: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT6009LFG-13

DMT6009LFG-13

Описание: MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT6010LPS-13

DMT6010LPS-13

Описание: MOSFET N-CH 60V 13.5A

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT6005LPS-13

DMT6005LPS-13

Описание: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT6005LSS-13

DMT6005LSS-13

Описание: MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT6010SCT

DMT6010SCT

Описание: MOSFET N-CHA 60V 98A TO220

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT6010LFG-7

DMT6010LFG-7

Описание: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT6008LFG-7

DMT6008LFG-7

Описание: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT6009LCT

DMT6009LCT

Описание: MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT6012LSS-13

DMT6012LSS-13

Описание: MOSFET N-CH 60V8SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMT6009LSS-13

DMT6009LSS-13

Описание: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.