Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMTH6004SK3Q-13
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1230218

DMTH6004SK3Q-13

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$1.66
10+
$1.469
100+
$1.161
500+
$0.90
1000+
$0.711
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMTH6004SK3Q-13
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET NCH 60V 100A TO252
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Содержит совместимость с RoHS / RoHS
  • Спецификация
    DMTH6004SK3Q-13.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    TO-252-4L
  • Серии
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.8 mOhm @ 90A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    3.9W (Ta), 180W (Tc)
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
  • Другие названия
    DMTH6004SK3Q-13DICT
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    24 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    4556pF @ 30V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    95.4nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    60V
  • Подробное описание
    N-Channel 60V 100A (Tc) 3.9W (Ta), 180W (Tc) Surface Mount TO-252-4L
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    100A (Tc)

AMD запускает строительство втор...

2024/11/26

Графическая карта NVIDIA RTX 5090 имее...

2024/11/25

Антропик получает еще 4 миллиард...

2024/11/23

Полу: продажи IC увеличиваются на...

2024/11/22

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с DMTH6004SK3Q-13.
DMTH6009LK3Q-13

DMTH6009LK3Q-13

Описание: MOSFET N-CH 60V 14.2A TO252

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTH6002LPS-13

DMTH6002LPS-13

Описание: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTH6005LPS-13

DMTH6005LPS-13

Описание: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTH6009LPS-13

DMTH6009LPS-13

Описание: MOSFET N-CH 60V POWERDI5060-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTH6004LPS-13

DMTH6004LPS-13

Описание: MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTH6004LPSQ-13

DMTH6004LPSQ-13

Описание: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTH6009LK3-13

DMTH6009LK3-13

Описание: MOSFET N-CH 60V 14.2A

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTH6004SCT

DMTH6004SCT

Описание: MOSFET 60V 100A TO220-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTH6005LK3-13

DMTH6005LK3-13

Описание: MOSFET 60V 90A DPAK

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTH6004SPS-13

DMTH6004SPS-13

Описание: MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTH6004SPSQ-13

DMTH6004SPSQ-13

Описание: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTH6005LCT

DMTH6005LCT

Описание: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTH43M8LK3Q-13

DMTH43M8LK3Q-13

Описание: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTH6005LPSQ-13

DMTH6005LPSQ-13

Описание: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI506

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTH6005LK3Q-13

DMTH6005LK3Q-13

Описание: MOSFET NCH 60V 90A TO252

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTH43M8LK3-13

DMTH43M8LK3-13

Описание: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTH6004SCTB-13

DMTH6004SCTB-13

Описание: MOSFET N-CH

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTH6004SK3-13

DMTH6004SK3-13

Описание: MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTH6004SCTBQ-13

DMTH6004SCTBQ-13

Описание: MOSFET N-CH 60V 100A TO263

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTH43M8LPSQ-13

DMTH43M8LPSQ-13

Описание: MOSFETN-CH 40VPOWERDI5060-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.