Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMTH6016LSDQ-13
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1811457DMTH6016LSDQ-13 Image.Diodes Incorporated

DMTH6016LSDQ-13

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$1.35
10+
$1.193
100+
$0.943
500+
$0.731
1000+
$0.577
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMTH6016LSDQ-13
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    DMTH6016LSDQ-13.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Поставщик Упаковка устройства
    8-SO
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    19.5 mOhm @ 10A, 10V
  • Мощность - Макс
    1.4W, 1.9W
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Другие названия
    DMTH6016LSDQ-13DICT
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    28 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    864pF @ 30V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    17nC @ 10V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Характеристика
    Standard
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    60V
  • Подробное описание
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 7.6A (Ta) 1.4W, 1.9W Surface Mount 8-SO
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    7.6A (Ta)

Антропик получает еще 4 миллиард...

2024/11/23

Полу: продажи IC увеличиваются на...

2024/11/22

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с DMTH6016LSDQ-13.
DMTH8012LK3Q-13

DMTH8012LK3Q-13

Описание: MOSFET NCH 80V 50A TO252

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTH6010LPSQ-13

DMTH6010LPSQ-13

Описание: MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTT-1000

DMTT-1000

Описание: XFRMR LAMINATED 1000VA CHAS MNT

Производители: Bel
Быть в наличии
RFQ
DMTH6010SK3Q-13

DMTH6010SK3Q-13

Описание: MOSFET NCH 60V 16.3A TO252

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTH6016LPSQ-13

DMTH6016LPSQ-13

Описание: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTH6010LPD-13

DMTH6010LPD-13

Описание: MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTH8012LK3-13

DMTH8012LK3-13

Описание: MOSFET N-CH 80V 50A TO252

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTH6010LK3Q-13

DMTH6010LK3Q-13

Описание: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTH6016LPS-13

DMTH6016LPS-13

Описание: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTH8012LPS-13

DMTH8012LPS-13

Описание: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTH8012LPSQ-13

DMTH8012LPSQ-13

Описание: MOSFET NCH 80V 10A POWERDI

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTT-300

DMTT-300

Описание: XFRMR LAMINATED 300VA CHAS MOUNT

Производители: Bel
Быть в наличии
RFQ
DMTX-19V15W-EZ-SYS

DMTX-19V15W-EZ-SYS

Описание: DUAL MODE TRANSMITTER MODULE 19V

Производители: Semtech
Быть в наличии
RFQ
DMTH6010SK3-13

DMTH6010SK3-13

Описание: MOSFET N-CH 60V 16.3A

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTH6010SCT

DMTH6010SCT

Описание: MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTH6010LPS-13

DMTH6010LPS-13

Описание: MOSFET N-CH 60V 13.5A

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTH6016LSD-13

DMTH6016LSD-13

Описание: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.6A 8SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTH8012LPSW-13

DMTH8012LPSW-13

Описание: MOSFET N-CH 80V 53.7A POWERDI506

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMTT-650

DMTT-650

Описание: XFRMR LAMINATED 650VA CHAS MOUNT

Производители: Bel
Быть в наличии
RFQ
DMTH6010LPDQ-13

DMTH6010LPDQ-13

Описание: MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.