Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - сингл > MMBT123S-7-F
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
4078509MMBT123S-7-F Image.Diodes Incorporated

MMBT123S-7-F

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
3000+
$0.063
6000+
$0.055
15000+
$0.047
30000+
$0.044
75000+
$0.041
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    MMBT123S-7-F
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    TRANS NPN 18V 1A SOT23-3
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    MMBT123S-7-F.pdf
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    18V
  • Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic
    500mV @ 30mA, 300mA
  • Тип транзистор
    NPN
  • Поставщик Упаковка устройства
    SOT-23-3
  • Серии
    Automotive, AEC-Q101
  • Мощность - Макс
    300mW
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Другие названия
    MMBT123S-FDITR
    MMBT123S7F
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    12 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - Переход
    100MHz
  • Подробное описание
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 18V 1A 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3
  • DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    150 @ 100mA, 1V
  • Ток - Коллектор Граничная (Макс)
    1µA (ICBO)
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    1A
  • Номер базового номера
    MMBT123S

Антропик получает еще 4 миллиард...

2024/11/23

Полу: продажи IC увеличиваются на...

2024/11/22

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с MMBT123S-7-F.
MMBT100

MMBT100

Описание: TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
MMBFV170LT3G

MMBFV170LT3G

Описание: MOSFET N-CH 60V 0.5A SOT23

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
MMBT2131T1G

MMBT2131T1G

Описание: TRANS PNP 30V 0.7A SC74-6

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
MMBT2222A

MMBT2222A

Описание: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23

Производители: STMicroelectronics
Быть в наличии
RFQ
MMBT2222A RFG

MMBT2222A RFG

Описание: TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.6A, 50A/

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
RFQ
MMBT2222

MMBT2222

Описание: TRANS NPN 30V 0.6A SOT-23

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
MMBT123S-7

MMBT123S-7

Описание: TRANS NPN 18V 1A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
MMBFJ310LT1G

MMBFJ310LT1G

Описание: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
MMBT100A

MMBT100A

Описание: DIE TRANS NPN 45V GENERAL PURP

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
MMBT2132T3G

MMBT2132T3G

Описание: TRANS NPN 30V 0.7A SC74-6

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
MMBT2222A

MMBT2222A

Описание: TRANS NPN 40V 1A SOT-23

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
MMBFU310LT1

MMBFU310LT1

Описание: JFET N-CH 25V 0.225W SOT23

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
MMBFJ310

MMBFJ310

Описание: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
MMBT200A

MMBT200A

Описание: TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
MMBT200

MMBT200

Описание: TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
MMBFJ310LT1

MMBFJ310LT1

Описание: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
MMBFU310LT1G

MMBFU310LT1G

Описание: JFET N-CH 25V 0.225W SOT23

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
MMBT2132T3

MMBT2132T3

Описание: TRANS NPN 30V 0.7A SC74-6

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
MMBT2222A,215

MMBT2222A,215

Описание: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23

Производители: Nexperia
Быть в наличии
RFQ
MMBFJ310LT3G

MMBFJ310LT3G

Описание: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.