Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > ZXMC3A16DN8TC
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
4203231ZXMC3A16DN8TC Image.Diodes Incorporated

ZXMC3A16DN8TC

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$1.66
10+
$1.469
100+
$1.161
500+
$0.90
1000+
$0.711
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    ZXMC3A16DN8TC
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    ZXMC3A16DN8TC.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    1V @ 250µA (Min)
  • Поставщик Упаковка устройства
    8-SO
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35 mOhm @ 9A, 10V
  • Мощность - Макс
    1.25W
  • упаковка
    Original-Reel®
  • Упаковка /
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Другие названия
    ZXMC3A16DN8TCDKR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    20 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    796pF @ 25V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    17.5nC @ 10V
  • Тип FET
    N and P-Channel
  • FET Характеристика
    Logic Level Gate
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.9A, 4.1A 1.25W Surface Mount 8-SO
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    4.9A, 4.1A

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с ZXMC3A16DN8TC.
ZXMC3A16DN8TA

ZXMC3A16DN8TA

Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXM64P035L3

ZXM64P035L3

Описание: MOSFET P-CH 35V 12A TO-220-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMC4A16DN8TA

ZXMC4A16DN8TA

Описание: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMC3A18DN8TA

ZXMC3A18DN8TA

Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMC4559DN8TC

ZXMC4559DN8TC

Описание: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMC3AMCTA

ZXMC3AMCTA

Описание: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXM66N02N8TA

ZXM66N02N8TA

Описание: MOSFET N-CH 20V 9A 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXM66P02N8TA

ZXM66P02N8TA

Описание: MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMC3F31DN8TA

ZXMC3F31DN8TA

Описание: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXM64P03XTA

ZXM64P03XTA

Описание: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMC3A17DN8TC

ZXMC3A17DN8TC

Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXM66N03N8TA

ZXM66N03N8TA

Описание: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMC10A816N8TC

ZXMC10A816N8TC

Описание: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMC3A17DN8TA

ZXMC3A17DN8TA

Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMC4559DN8TA

ZXMC4559DN8TA

Описание: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMC4A16DN8TC

ZXMC4A16DN8TC

Описание: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXM64P03XTC

ZXM64P03XTC

Описание: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXM66P02N8TC

ZXM66P02N8TC

Описание: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXM66P03N8TA

ZXM66P03N8TA

Описание: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMC3AM832TA

ZXMC3AM832TA

Описание: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.