Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > ZXMHC10A07N8TC
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
6668469ZXMHC10A07N8TC Image.Diodes Incorporated

ZXMHC10A07N8TC

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$1.45
10+
$1.285
100+
$1.016
500+
$0.788
1000+
$0.622
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    ZXMHC10A07N8TC
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    ZXMHC10A07N8TC.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Поставщик Упаковка устройства
    8-SOP
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    700 mOhm @ 1.5A, 10V
  • Мощность - Макс
    870mW
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Другие названия
    ZXMHC10A07N8DICT
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    33 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    138pF @ 60V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    2.9nC @ 10V
  • Тип FET
    2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
  • FET Характеристика
    Standard
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    100V
  • Подробное описание
    Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V 800mA, 680mA 870mW Surface Mount 8-SOP
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    800mA, 680mA
  • Номер базового номера
    ZXMHC10A07

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с ZXMHC10A07N8TC.
ZXMHN6A07T8TA

ZXMHN6A07T8TA

Описание: MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN0545G4TA

ZXMN0545G4TA

Описание: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMD65N03N8TA

ZXMD65N03N8TA

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMD65P02N8TA

ZXMD65P02N8TA

Описание: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMHC6A07N8TC

ZXMHC6A07N8TC

Описание: MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMD65P02N8TC

ZXMD65P02N8TC

Описание: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMHC3F381N8TC

ZXMHC3F381N8TC

Описание: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMD63P03XTA

ZXMD63P03XTA

Описание: MOSFET 2P-CH 30V 8-MSOP

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMD63P03XTC

ZXMD63P03XTC

Описание: MOSFET 2P-CH 30V 8MSOP

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMHC3A01T8TA

ZXMHC3A01T8TA

Описание: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMD65N02N8TA

ZXMD65N02N8TA

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMD63N03XTC

ZXMD63N03XTC

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8MSOP

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMD63P02XTA

ZXMD63P02XTA

Описание: MOSFET 2P-CH 20V 8-MSOP

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN10A07FTA

ZXMN10A07FTA

Описание: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMHC6A07T8TA

ZXMHC6A07T8TA

Описание: MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMD65P03N8TA

ZXMD65P03N8TA

Описание: MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMHC10A07T8TA

ZXMHC10A07T8TA

Описание: MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMHC3A01N8TC

ZXMHC3A01N8TC

Описание: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMD63P02XTC

ZXMD63P02XTC

Описание: MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN0545FFTA

ZXMN0545FFTA

Описание: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.