Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > ZXMN2A03E6TC
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
4463055ZXMN2A03E6TC Image.Diodes Incorporated

ZXMN2A03E6TC

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    ZXMN2A03E6TC
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    ZXMN2A03E6TC.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    700mV @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±12V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    SOT-23-6
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    55 mOhm @ 7.2A, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    1.1W (Ta)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    SOT-23-6
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    837pF @ 10V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    8.2nC @ 4.5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    20V
  • Подробное описание
    N-Channel 20V 3.7A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    3.7A (Ta)

AMD запускает строительство втор...

2024/11/26

Графическая карта NVIDIA RTX 5090 имее...

2024/11/25

Антропик получает еще 4 миллиард...

2024/11/23

Полу: продажи IC увеличиваются на...

2024/11/22

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с ZXMN2A03E6TC.
ZXMN2AMCTA

ZXMN2AMCTA

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A DFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN2A04DN8TA

ZXMN2A04DN8TA

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN2A02X8TA

ZXMN2A02X8TA

Описание: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN2B01FTA

ZXMN2B01FTA

Описание: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN2B14FHTA

ZXMN2B14FHTA

Описание: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN2A02N8TA

ZXMN2A02N8TA

Описание: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN2A04DN8TC

ZXMN2A04DN8TC

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN2A01E6TA

ZXMN2A01E6TA

Описание: MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN2A01FTC

ZXMN2A01FTC

Описание: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN2A14FTA

ZXMN2A14FTA

Описание: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN2A01E6TC

ZXMN2A01E6TC

Описание: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN2A05N8TA

ZXMN2A05N8TA

Описание: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN2A03E6TA

ZXMN2A03E6TA

Описание: MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT-23-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN2F30FHQTA

ZXMN2F30FHQTA

Описание: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN20B28KTC

ZXMN20B28KTC

Описание: MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN2A01FTA

ZXMN2A01FTA

Описание: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN2A02X8TC

ZXMN2A02X8TC

Описание: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN2B03E6TA

ZXMN2B03E6TA

Описание: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN2088DE6TA

ZXMN2088DE6TA

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN2AM832TA

ZXMN2AM832TA

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.