Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SI1070X-T1-GE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
6835621SI1070X-T1-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI1070X-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$0.62
10+
$0.521
100+
$0.391
500+
$0.287
1000+
$0.222
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SI1070X-T1-GE3
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    1.55V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±12V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    SC-89-6
  • Серии
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    99 mOhm @ 1.2A, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    236mW (Ta)
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    SOT-563, SOT-666
  • Другие названия
    SI1070X-T1-GE3CT
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    33 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    385pF @ 15V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    8.3nC @ 5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    N-Channel 30V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    -
SI1067X-T1-E3

SI1067X-T1-E3

Описание: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI1079X-T1-GE3

SI1079X-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI1065-A-GM

SI1065-A-GM

Описание: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI1065X-T1-E3

SI1065X-T1-E3

Описание: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI1065-A-GMR

SI1065-A-GMR

Описание: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI1065X-T1-GE3

SI1065X-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI1080-A-GM

SI1080-A-GM

Описание: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI1073X-T1-GE3

SI1073X-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI1072X-T1-E3

SI1072X-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI1071X-T1-E3

SI1071X-T1-E3

Описание: MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI1077X-T1-GE3

SI1077X-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 20V SC89-6

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI1070X-T1-E3

SI1070X-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI1069X-T1-E3

SI1069X-T1-E3

Описание: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI1067X-T1-GE3

SI1067X-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI1069X-T1-GE3

SI1069X-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI1064-A-GMR

SI1064-A-GMR

Описание: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI1072X-T1-GE3

SI1072X-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V SC89

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI1073X-T1-E3

SI1073X-T1-E3

Описание: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI1071X-T1-GE3

SI1071X-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI1078X-T1-GE3

SI1078X-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти