Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SI2315BDS-T1-E3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
6222021

SI2315BDS-T1-E3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$0.52
10+
$0.437
100+
$0.328
500+
$0.24
1000+
$0.186
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SI2315BDS-T1-E3
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    900mV @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±8V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Серии
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50 mOhm @ 3.85A, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    750mW (Ta)
  • упаковка
    Original-Reel®
  • Упаковка /
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Другие названия
    SI2315BDS-T1-E3DKR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    33 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    715pF @ 6V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    15nC @ 4.5V
  • Тип FET
    P-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    12V
  • Подробное описание
    P-Channel 12V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    3A (Ta)
SI2316DS-T1-E3

SI2316DS-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2311DS-T1-E3

SI2311DS-T1-E3

Описание: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2312CDS-T1-GE3

SI2312CDS-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2318DS-T1-E3

SI2318DS-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2312BDS-T1-E3

SI2312BDS-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2310-TP

SI2310-TP

Описание: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Производители: Micro Commercial Components (MCC)
Быть в наличии
SI2318CDS-T1-GE3

SI2318CDS-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2318DS-T1-GE3

SI2318DS-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2312BDS-T1-GE3

SI2312BDS-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2319DDS-T1-GE3

SI2319DDS-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CHAN 40V

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2311DS-T1-GE3

SI2311DS-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2315BDS-T1-GE3

SI2315BDS-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2316BDS-T1-GE3

SI2316BDS-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2309DS-T1-E3

SI2309DS-T1-E3

Описание: MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2316DS-T1-GE3

SI2316DS-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2316BDS-T1-E3

SI2316BDS-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2314EDS-T1-E3

SI2314EDS-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2314EDS-T1-GE3

SI2314EDS-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2312-TP

SI2312-TP

Описание: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Производители: Micro Commercial Components (MCC)
Быть в наличии
SI2319CDS-T1-GE3

SI2319CDS-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти