Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SI2347DS-T1-GE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
704184

SI2347DS-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$0.56
10+
$0.397
100+
$0.261
500+
$0.154
1000+
$0.118
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SI2347DS-T1-GE3
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    SOT-23-3
  • Серии
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    42 mOhm @ 3.8A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    1.7W (Tc)
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Другие названия
    SI2347DS-T1-GE3CT
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    32 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    705pF @ 15V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    22nC @ 10V
  • Тип FET
    P-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    P-Channel 30V 5A (Tc) 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    5A (Tc)
SI2338DS-T1-GE3

SI2338DS-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2356DS-T1-GE3

SI2356DS-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2341DS-T1-GE3

SI2341DS-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2341DS-T1-E3

SI2341DS-T1-E3

Описание: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2337DS-T1-GE3

SI2337DS-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2337DS-T1-E3

SI2337DS-T1-E3

Описание: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2365EDS-T1-GE3

SI2365EDS-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2343DS-T1-E3

SI2343DS-T1-E3

Описание: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2343CDS-T1-GE3

SI2343CDS-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-23

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2371EDS-T1-GE3

SI2371EDS-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2351DS-T1-E3

SI2351DS-T1-E3

Описание: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2351DS-T1-GE3

SI2351DS-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2369DS-T1-GE3

SI2369DS-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2372DS-T1-GE3

SI2372DS-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CHAN 30V SOT23

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2367DS-T1-GE3

SI2367DS-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2342DS-T1-GE3

SI2342DS-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23

Производители: Vishay Siliconix
Быть в наличии
SI2343DS-T1

SI2343DS-T1

Описание: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2343DS-T1-GE3

SI2343DS-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT-23

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2366DS-T1-GE3

SI2366DS-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI2374DS-T1-GE3

SI2374DS-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CHAN 20V SOT23

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти