Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SI4100DY-T1-GE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
2204295

SI4100DY-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$1.58
10+
$1.395
100+
$1.103
500+
$0.855
1000+
$0.675
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SI4100DY-T1-GE3
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    8-SO
  • Серии
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    63 mOhm @ 4.4A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    2.5W (Ta), 6W (Tc)
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Другие названия
    SI4100DY-T1-GE3CT
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    33 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    600pF @ 50V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    100V
  • Подробное описание
    N-Channel 100V 6.8A (Tc) 2.5W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    6.8A (Tc)
SI4102DY-T1-GE3

SI4102DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4112-BM

SI4112-BM

Описание: IC SYNTHESIZER IF-ONLY 28MLP

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4063-B1B-FM

SI4063-B1B-FM

Описание: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4101DY-T1-GE3

SI4101DY-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4108DY-T1-GE3

SI4108DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4104DY-T1-E3

SI4104DY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4110DY-T1-GE3

SI4110DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4103DY-T1-GE3

SI4103DY-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CHAN 30V SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4060-C2A-GMR

SI4060-C2A-GMR

Описание: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4063-B1B-FMR

SI4063-B1B-FMR

Описание: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4063-C2A-GMR

SI4063-C2A-GMR

Описание: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4100DY-T1-E3

SI4100DY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4112-BT

SI4112-BT

Описание: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4060-C2A-GM

SI4060-C2A-GM

Описание: EZ RADIO PRO SUB GHZ TRANSMITTER

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4104DY-T1-GE3

SI4104DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4063-C2A-GM

SI4063-C2A-GM

Описание: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4090DY-T1-GE3

SI4090DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4062DY-T1-GE3

SI4062DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-SO

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4102DY-T1-E3

SI4102DY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4063-B0B-FM

SI4063-B0B-FM

Описание: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти