Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SI4126DY-T1-GE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
609016

SI4126DY-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$2.94
10+
$2.653
100+
$2.132
500+
$1.658
1000+
$1.374
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SI4126DY-T1-GE3
  • Изготовитель / Производитель
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 30V 39A 8-SOIC
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    SI4126DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    8-SO
  • Серии
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.75 mOhm @ 15A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Другие названия
    SI4126DY-T1-GE3CT
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    4405pF @ 15V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    105nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    N-Channel 30V 39A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    39A (Tc)

Антропик получает еще 4 миллиард...

2024/11/23

Полу: продажи IC увеличиваются на...

2024/11/22

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с SI4126DY-T1-GE3.
SI4123M-EVB

SI4123M-EVB

Описание: BOARD EVALUATION FOR SI4123

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI4126-F-BMR

SI4126-F-BMR

Описание: IC SYNTHESIZER RF2/IF 28MLP

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI4124DY-T1-GE3

SI4124DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4123-EVB

SI4123-EVB

Описание: BOARD EVALUATION FOR SI4123

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI4133-D-GTR

SI4133-D-GTR

Описание: IC SYNTHESIZR RF1/RF2/IF 24TSSOP

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI4123-D-GTR

SI4123-D-GTR

Описание: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI4133-D-GT

SI4133-D-GT

Описание: IC SYNTHESIZR RF1/RF2/IF 24TSSOP

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI4126-F-BM

SI4126-F-BM

Описание: IC SYNTHESIZER RF2/IF 28MLP

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI4126M-EVB

SI4126M-EVB

Описание: BOARD EVALUATION FOR SI4126

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI4133-D-GMR

SI4133-D-GMR

Описание: IC SYNTHESIZER RF DUALBAND 28MLP

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI4126-BM

SI4126-BM

Описание: IC SYNTHESIZER WLAN RF2/IF 28MLP

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI4128BDY-T1-GE3

SI4128BDY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4133-BT

SI4133-BT

Описание: IC SYNTHESIZR RF1/RF2/IF 24TSSOP

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI4124DY-T1-E3

SI4124DY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4133-D-GM

SI4133-D-GM

Описание: IC SYNTHESIZER RF DUALBAND 28MLP

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI4126-F-GMR

SI4126-F-GMR

Описание: IC WLAN SYNTH (RF2/IF) 28MLP

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI4133-EVB

SI4133-EVB

Описание: BOARD EVALUATION FOR SI4133

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI4126-F-GM

SI4126-F-GM

Описание: IC WLAN SYNTH (RF2/IF) 28MLP

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI4128DY-T1-E3

SI4128DY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4128DY-T1-GE3

SI4128DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.