Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SI4154DY-T1-GE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
5408653

SI4154DY-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$1.78
10+
$1.579
100+
$1.248
500+
$0.968
1000+
$0.764
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SI4154DY-T1-GE3
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 40V 36A 8-SOIC
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    8-SO
  • Серии
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.3 mOhm @ 15A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Другие названия
    SI4154DY-T1-GE3CT
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    4230pF @ 20V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    105nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    40V
  • Подробное описание
    N-Channel 40V 36A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    36A (Tc)
SI4170DY-T1-GE3

SI4170DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4136-F-GTR

SI4136-F-GTR

Описание: IC WLAN SAT RADIO 24TSSOP

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4164DY-T1-GE3

SI4164DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4143DY-T1-GE3

SI4143DY-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4174DY-T1-GE3

SI4174DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4136-F-BM

SI4136-F-BM

Описание: SYNTH WLAN SAT RADIO(RF1/RF2/IF)

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4136-F-GM

SI4136-F-GM

Описание: IC SYNTHESIZER RF1/RF2/IF 28QFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4162DY-T1-GE3

SI4162DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4136M-EVB

SI4136M-EVB

Описание: BOARD EVALUATION FOR SI4136

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4136DY-T1-GE3

SI4136DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 20V 46A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4166DY-T1-GE3

SI4166DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4172DY-T1-GE3

SI4172DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4156DY-T1-GE3

SI4156DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4158DY-T1-GE3

SI4158DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 20V 36.5A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4136-F-GT

SI4136-F-GT

Описание: IC WLAN SAT RADIO 24TSSOP

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4160DY-T1-GE3

SI4160DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4136-EVB

SI4136-EVB

Описание: BOARD EVALUATION FOR SI4136

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4168DY-T1-GE3

SI4168DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4136-F-GMR

SI4136-F-GMR

Описание: IC SYNTHESIZER RF1/RF2/IF 28MLP

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4136-F-BT

SI4136-F-BT

Описание: SYNTH WLAN SAT RADIO(RF1/RF2/IF)

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти