Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SI4178DY-T1-E3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
6424797

SI4178DY-T1-E3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
2500+
$0.297
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SI4178DY-T1-E3
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±25V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    8-SO
  • Серии
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    21 mOhm @ 8.4A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    2.4W (Ta), 5W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    405pF @ 15V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    N-Channel 30V 12A (Tc) 2.4W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    12A (Tc)
SI4190ADY-T1-GE3

SI4190ADY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4162DY-T1-GE3

SI4162DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4186DY-T1-GE3

SI4186DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4200DY-T1-GE3

SI4200DY-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4160DY-T1-GE3

SI4160DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4200-BM

SI4200-BM

Описание: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4170DY-T1-GE3

SI4170DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4176DY-T1-E3

SI4176DY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4196DY-T1-E3

SI4196DY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4168DY-T1-GE3

SI4168DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4200-GM

SI4200-GM

Описание: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4176DY-T1-GE3

SI4176DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4196DY-T1-GE3

SI4196DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4172DY-T1-GE3

SI4172DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4174DY-T1-GE3

SI4174DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4190DY-T1-GE3

SI4190DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4164DY-T1-GE3

SI4164DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4166DY-T1-GE3

SI4166DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4200-EVB

SI4200-EVB

Описание: BOARD EVAL FOR SI4200

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4178DY-T1-GE3

SI4178DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти