Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SI4447DY-T1-GE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
5090816

SI4447DY-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$0.99
10+
$0.871
100+
$0.672
500+
$0.498
1000+
$0.398
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SI4447DY-T1-GE3
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±16V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    8-SO
  • Серии
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    72 mOhm @ 4.5A, 15V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    1.1W (Ta)
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Другие названия
    SI4447DY-T1-GE3CT
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    33 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    805pF @ 20V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    14nC @ 4.5V
  • Тип FET
    P-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    15V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    40V
  • Подробное описание
    P-Channel 40V 3.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    3.3A (Ta)
SI4447ADY-T1-GE3

SI4447ADY-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4455-B1A-FMR

SI4455-B1A-FMR

Описание: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4446DY-T1-GE3

SI4446DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4455-C2A-GMR

SI4455-C2A-GMR

Описание: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4442DY-T1-GE3

SI4442DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4438-C2A-GM

SI4438-C2A-GM

Описание: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4455-C2A-GM

SI4455-C2A-GM

Описание: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4438DY-T1-GE3

SI4438DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4448DY-T1-E3

SI4448DY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4453DY-T1-E3

SI4453DY-T1-E3

Описание: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4453DY-T1-GE3

SI4453DY-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4438-C2A-GMR

SI4438-C2A-GMR

Описание: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4448DY-T1-GE3

SI4448DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4442DY-T1-E3

SI4442DY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4438DY-T1-E3

SI4438DY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4446DY-T1-E3

SI4446DY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4451DY-T1-GE3

SI4451DY-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4451DY-T1-E3

SI4451DY-T1-E3

Описание: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4447DY-T1-E3

SI4447DY-T1-E3

Описание: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4455-B1A-FM

SI4455-B1A-FM

Описание: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти