Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SI4497DY-T1-GE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
2774878

SI4497DY-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
2500+
$0.944
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SI4497DY-T1-GE3
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET P-CH 30V 36A 8-SOIC
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    8-SO
  • Серии
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.3 mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Другие названия
    SI4497DY-T1-GE3TR
    SI4497DYT1GE3
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    32 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    9685pF @ 15V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    285nC @ 10V
  • Тип FET
    P-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    P-Channel 30V 36A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    36A (Tc)
SI4487DY-T1-GE3

SI4487DY-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4488DY-T1-GE3

SI4488DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4532ADY-T1-E3

SI4532ADY-T1-E3

Описание: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4501ADY-T1-E3

SI4501ADY-T1-E3

Описание: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4505DY-T1-GE3

SI4505DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4486EY-T1-E3

SI4486EY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4491EDY-T1-GE3

SI4491EDY-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-SO

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4488DY-T1-E3

SI4488DY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4493DY-T1-E3

SI4493DY-T1-E3

Описание: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4500BDY-T1-GE3

SI4500BDY-T1-GE3

Описание: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4486EY-T1-GE3

SI4486EY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4511DY-T1-E3

SI4511DY-T1-E3

Описание: MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4493DY-T1-GE3

SI4493DY-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4511DY-T1-GE3

SI4511DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4505DY-T1-E3

SI4505DY-T1-E3

Описание: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4490DY-T1-GE3

SI4490DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4501BDY-T1-GE3

SI4501BDY-T1-GE3

Описание: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4500BDY-T1-E3

SI4500BDY-T1-E3

Описание: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4490DY-T1-E3

SI4490DY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4501ADY-T1-GE3

SI4501ADY-T1-GE3

Описание: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти